公开(公告)号：CN101803042A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107365.7

申请日：2008-09-16

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 洪震 ,  金桢植

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中，所述太阳能电池包括：包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；在所述第一电池的一个表面上形成的、包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层。与现有技术中的太阳能电池不同，根据本发明所述的太阳能电池能够在所述第一电池中吸收长波长范围的光，而在所述第二电池中吸收短波长范围的光。结果是，根据本发明所述的太阳能电池可以吸收所有范围内的光，由此实现了20％或20％以上的高效率。另外，整个加工时间变短，因为不需要在长的时间段内形成硅薄膜的过程。

公开(公告)号：CN101292367A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680035542.6

申请日：2006-09-26

Applicant: 帝国革新有限公司

Inventor： 基思·威廉·约翰·巴恩哈姆 ,  马西莫·马泽尔 ,  伊恩·马克·巴拉德

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  H01L31/078 ,  H01L31/055 ,  H01L31/058 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/061 ,  H01L2924/0002 ,  H02S10/30 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光电装置，该光电装置包括由电绝缘层所隔离的上电池和下电池。这些电池和层被制造为单个整体结构，而且，为上电池和下电池提供单独的电触点，以使得能够单独地从每个电池获取电流。上电池的带隙比下电池的带隙更大，使得上电池所未吸收且未转换的入射低能光子能够传播到下电池，以便转换。可以选择这两个带隙来包括所关心的光谱范围。将该装置结合到包括具有与这两个电池的带隙相关的不同波长范围的两个光子源的系统中，使得每个电池能够转换来自一个源的光子。一个源可以是太阳，另一个源可以是诸如热源的本地光子源。或者，两个光子源都可以是本地源。可以通过将上电池配置为级联电池或以MIMS排列形式或者同时采用这两种方式，来对该装置的运行进一步地优化和扩展。

公开(公告)号：CN1862840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。

公开(公告)号：CN1023362C

公开(公告)日：1993-12-29

申请号：CN90104925.5

申请日：1990-06-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 高林明治 ,  米原隆夫

IPC: H01L31/036 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光生伏特器件包括：一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片，设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光生伏特单元，以及设置有一个覆盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。上述各单晶层区域是彼此隔离设置的。

公开(公告)号：CN109638089A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811416774.7

申请日：2018-11-26

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 万智 ,  徐培强 ,  林晓珊 ,  张银桥 ,  汪洋 ,  王向武

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法，其包括双面抛光的n型GaAs衬底，在所述的GaAs衬底上表面沉积有GaAs欧姆接触层、GaInP子电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、GaAs子电池、GaAs隧穿结层、GaAs缓冲层。所述的GaAs衬底下表面溅射有CuInGaSe子电池,GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池的带隙组合为1.9eV/1.42eV/1.1eV。本发明通过更加优化的带隙组合，使得三结电池对太阳光谱的利用率进一步提高，从而提升了电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN106531836A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611062950.2

申请日：2016-11-25

Applicant: 罗雷

Inventor： 罗雷

IPC: H01L31/078

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/078

Abstract: 本发明涉及一种四结太阳能电池，其包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底的上表面设置有GaInP子电池、GaAs子电池、InGaNAsBi子电池和第一GaAs缓冲层，在所述GaAs衬底的下表面设置有第二GaAs缓冲层、量子点结构子电池，所述GaInP子电池和GaAs子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs子电池与InGaNAsBi子电池之间通过第二隧道结连接，所述InGaNAsBi子电池与第一GaAs缓冲层之间通过第一隧道结连接。本发明可以提高太阳电池对太阳光谱的利用率，从而提高多结太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102844881B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180016255.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 韩国机械研究院

Inventor： 金俊东 ,  韩昌洙

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池包括：PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层；第一电极，其与PN半导体层的第一表面欧姆连接；肖特基结层，其与PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面对PN半导体层的第一表面；以及，第二电极，其被形成接触所述肖特基结层。

公开(公告)号：CN101740647B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN200910223615.X

申请日：2009-11-13

Applicant: 索埃尔科技公司

Inventor： 阿瑟·科恩费尔德 ,  本杰明·丘

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/06875 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请案涉及一种具有两个变质层的四结倒置变质多结太阳能电池。本发明提供一种多结太阳能电池，其包含：上部第一太阳能子电池，其具有第一能带隙；第二太阳能子电池，其邻近于所述第一太阳能子电池且具有比所述第一能带隙小的第二能带隙；第一经分级夹层，其邻近于所述第二太阳能子电池；所述第一经分级夹层具有比所述第二能带隙大的第三能带隙；以及第三太阳能子电池，其邻近于所述第一经分级夹层，所述第三子电池具有比所述第二能带隙小的第四能带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。邻近于所述第三太阳能子电池提供第二经分级夹层；所述第二经分级夹层具有比所述第四能带隙大的第五能带隙；且邻近于所述第二经分级夹层提供下部第四太阳能子电池，所述下部第四子电池具有比所述第四能带隙小的第六能带隙，使得所述第四子电池相对于所述第三子电池晶格失配。

公开(公告)号：CN102484147B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080026673.4

申请日：2010-04-13

Applicant: 索尔伏打电流公司

Inventor： J.M.奥尔森

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/078

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/061 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/544 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/948 ,  Y10S977/954

Abstract: 一种用于将光转换为电能的多结光生伏打电池，所述多结光生伏打电池包括衬底（3），所述衬底（3）具有表面（31），其中所述衬底（3）的所述表面（31）处的区域（4）被掺杂以使得第一p-n结（11）被形成在所述衬底（3）中。光生伏打电池具有纳米线（2），纳米线（2）被布置在所述衬底（3）的所述表面（31）上，在所述掺杂区域（4）位于所述衬底（3）中的位置处，使得第二p-n结（12）被形成在所述纳米线（2）处并与所述第一p-n结（11）串联连接。

公开(公告)号：CN104465818A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410478643.7

申请日：2014-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  中西务 ,  中村健二

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/50

Abstract: 本公开内容提供了一种光电转换元件，包括层叠了第一金属层、第一半导体层、第二半导体层和第二金属层的光电转换层。第一金属层或第二金属层包含多孔金属薄膜，多孔金属薄膜具有穿过膜的多个开口。每一个开口都具有平均大于等于80nm2且小于等于0.8μm2的面积，多孔金属薄膜具有大于等于2nm且小于等于200nm的厚度。第二半导体层的带隙比第一半导体层的带隙小，具有与所述第一半导体层相反的极性，且位于距所述多孔金属薄膜5nm以内处。