-
公开(公告)号：CN101836301A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200880112707.4
申请日：2008-10-30
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/046 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；前电极，所述前电极通过用于将所述太阳能电池划分成多个单体电池的分隔部分以固定间隔布置在所述衬底上，其中，每个分隔部分被插置在所述前电极之间；半导体层图案，所述半导体层图案通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述前电极上；后电极，所述后电极通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述半导体层图案上；以及辅助电极，所述辅助电极电连接所述前电极和所述后电极，其中，通过利用所述辅助电极，所述前电极与所述后电极电连接，从而可以使将太阳能电池划分为多个单体电池的激光划线过程的次数减至最少，由此防止产生碎料。
-
公开(公告)号：CN101803042A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107365.7
申请日：2008-09-16
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/078 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中，所述太阳能电池包括：包含具有PN结构的半导体晶片的第一电池；在所述第一电池的一个表面上形成的、包含具有PIN结构的薄膜半导体层的第二电池；在所述第二电池的一个表面上形成的第一电极层；以及在所述第一电池的另一个表面上形成的第二电极层。与现有技术中的太阳能电池不同，根据本发明所述的太阳能电池能够在所述第一电池中吸收长波长范围的光，而在所述第二电池中吸收短波长范围的光。结果是，根据本发明所述的太阳能电池可以吸收所有范围内的光，由此实现了20％或20％以上的高效率。另外，整个加工时间变短，因为不需要在长的时间段内形成硅薄膜的过程。
-
公开(公告)号：CN101803041B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880107124.2
申请日：2008-09-19
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03921 , H01L31/0463 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，由于利用辅助电极或分隔壁将所述薄膜型太阳能电池分成多个子电池，因此其可以克服由现有技术中的激光划线过程所导致的各种问题，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；在所述衬底上的前电极层和电池划分部分；以及在所述半导体层上的后电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681943A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015521.7
申请日：2008-05-09
Applicant: 周星工程股份有限公司
Inventor： 金桢植
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/0236 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种晶体硅太阳能电池的制造方法包括下列步骤：制备晶体硅基底；使用等离子将所述基底织构化，以形成用来增加光的吸收的不均匀图案；使用等离子将离子掺杂在所述基底中，以形成PN结的掺杂层；加热所述基底，以激活所述掺杂离子；在所述掺杂层上形成抗反射膜；及分别在所述基底的前、背侧表面上形成前侧电极与背侧电极。
-
公开(公告)号：CN104126233B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280062164.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法能够大大减少在湿蚀刻工艺期间产生的废水的量和改善太阳能电池的效率。根据本发明的方法包括：通过用纹理化装置蚀刻半导体基板表面来进行纹理化，以在一个半导体基板表面上形成不平坦结构；在半导体基板表面的上部形成临时层，以围绕在纹理化期间形成在半导体基板表面的预设区域处的第一副产物层；和使用掺杂装置以预定的掺杂剂掺杂半导体基板表面，以便形成第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层设置在第一半导体层上方且具有与第一半导体层不同的极性。第一副产物层和临时层被同时去除。
-
公开(公告)号：CN104126233A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201280062164.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法能够大大减少在湿蚀刻工艺期间产生的废水的量和改善太阳能电池的效率。根据本发明的方法包括：通过用纹理化装置蚀刻半导体基板表面来进行纹理化，以在一个半导体基板表面上形成不平坦结构；在半导体基板表面的上部形成临时层，以围绕在纹理化期间形成在半导体基板表面的预设区域处的第一副产物层；和使用掺杂装置以预定的掺杂剂掺杂半导体基板表面，以便形成第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层设置在第一半导体层上方且具有与第一半导体层不同的极性。第一副产物层和临时层被同时去除。
-
公开(公告)号：CN101836301B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880112707.4
申请日：2008-10-30
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/046 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；前电极，所述前电极通过用于将所述太阳能电池划分成多个单体电池的分隔部分以固定间隔布置在所述衬底上，其中，每个分隔部分被插置在所述前电极之间；半导体层图案，所述半导体层图案通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述前电极上；后电极，所述后电极通过所插置的所述分隔部分以固定间隔布置在所述半导体层图案上；以及辅助电极，所述辅助电极电连接所述前电极和所述后电极，其中，通过利用所述辅助电极，所述前电极与所述后电极电连接，从而可以使将太阳能电池划分为多个单体电池的激光划线过程的次数减至最少，由此防止产生碎料。
-
公开(公告)号：CN101803041A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107124.2
申请日：2008-09-19
Applicant: 周星工程股份有限公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/03921 , H01L31/0463 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，由于利用辅助电极或分隔壁将所述薄膜型太阳能电池分成多个子电池，因此其可以克服由现有技术中的激光划线过程所导致的各种问题，所述薄膜型太阳能电池包括：衬底；在所述衬底上的前电极层和电池划分部分；以及在所述半导体层上的后电极。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
