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公开(公告)号：CN102881735B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201210325699.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02963 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/073 , Y02E10/543
Abstract: 在本发明的一个方面，提供一种光伏装置。该光伏装置包括窗口层和设置在窗口层上的吸收器层，其中吸收器层包括第一区域和第二区域，第一区域邻近窗口层设置。吸收器层进一步包括第一添加剂和第二添加剂，其中第一区域中第一添加剂的浓度高于第二区域中第一添加剂的浓度，以及其中第二区域中第二添加剂的浓度高于第一区域中第二添加剂的浓度。还提供一种制造光伏装置的方法。
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公开(公告)号：CN101183689B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200710194457.0
申请日：2007-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/065 , H01L31/074 , Y02E10/50
Abstract: 在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
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公开(公告)号：CN101097969A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126319.9
申请日：2007-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/072 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02167 , H01L31/065 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体结构包括一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面。将第一非晶半导体层涂敷到前表面上；将第二和第三非晶半导体层设置在衬底的部分后表面上。第二和第三层每一个都沿其深度有组分梯度，从在与衬底的界面处的基本本征到其相反表面处的基本导电。在一些情况下，第一半导体层也有组分梯度，同时在其他情况下，其特性是本征的。半导体结构可用作太阳能电池；和包括多个这种电池的模块表示为本发明的另一实施例。也描述了用于制造光电器件的方法。
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公开(公告)号：CN102051599B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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公开(公告)号：CN102881735A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210325699.X
申请日：2012-06-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02963 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/073 , Y02E10/543
Abstract: 在本发明的一个方面，提供一种光伏装置。该光伏装置包括窗口层和设置在窗口层上的吸收器层，其中吸收器层包括第一区域和第二区域，第一区域邻近窗口层设置。吸收器层进一步包括第一添加剂和第二添加剂，其中第一区域中第一添加剂的浓度高于第二区域中第一添加剂的浓度，以及其中第二区域中第二添加剂的浓度高于第一区域中第二添加剂的浓度。还提供一种制造光伏装置的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102051599A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010538504.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/228 , C23C14/26
Abstract: 本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
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公开(公告)号：CN1862840B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610082694.3
申请日：2006-05-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/02168 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。
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公开(公告)号：CN102074594A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010545218.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0296 , H01L31/1836 , Y02E10/50
Abstract: 提供光伏器件。该光伏器件包括吸收层，其包括p型半导体，其中至少一层设置在该吸收层之上。该至少一层是具有比该吸收层的载流子密度高的载流子密度的半导体。该至少一层包括硅。该至少一层包括p+型半导体。该吸收层基本上没有硅。提供形成该光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN101604707A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910149112.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/18
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/03928 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及绝缘涂料，它的制造方法和包括它的制品。在这里公开的是制品，它包括金属基材10；绝缘层20，该绝缘层20在膨胀的热等离子体中被布置在金属基材10上；和半导体层40，该半导体层40被布置在绝缘层20上。在这里公开的还有方法，该方法包括：将绝缘层20布置在金属基材上；绝缘层20与金属层紧密接触；其中绝缘层20是从金属－有机前体形成的，和其中绝缘层20是在膨胀的热等离子体中沉积的；和将半导体层40布置在绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101232030A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003798.X
申请日：2008-01-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/142 , H01L23/522
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，作为一个示范性实施例的半导体结构可以包括：具有一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面，并包括至少一个穿过所述半导体衬底的通孔，其中，采用导电材料填充所述至少一个通孔；以及设置在所述半导体衬底的所述前表面或后表面的至少部分上的半导体层，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料配置为将所述半导体层电连接至设置在所述衬底的表面上或者上方的至少一个正面接触。
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