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公开(公告)号：CN104823113B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380062698.3
申请日：2013-11-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70058 , G01N21/4738 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 一种确定光刻工艺中使用的光刻设备在衬底上的曝光剂量的方法。使用光刻工艺在衬底上产生第一结构，第一结构具有剂量敏感特征，该剂量敏感特征具有取决于光刻设备在衬底上的曝光剂量的形式。使用光刻工艺在衬底上产生第二结构，第二结构具有剂量敏感特征，该剂量敏感特征具有取决于光刻设备在衬底上的曝光剂量的形式，但与第一结构相比对曝光剂量具有不同的敏感度。在利用辐射来照射第一和第二结构时检测散射辐射以获得第一和第二散射仪信号。使用第一和第二散射仪信号来确定用于产生第一和第二结构中的至少一个结构的曝光剂量值。
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公开(公告)号：CN104950590B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510141230.4
申请日：2015-03-30
Applicant: 格罗方德半导体公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F1/68 , G03F7/70441 , G03F7/70516 , G03F7/70625 , G03F7/70683 , G06F17/5072
Abstract: 本发明涉及计量图案布局及其使用方法。该计量图案布局包括多个象限，在这些象限中可布置第一晶圆测量图案、第二晶圆测量图案、光罩对位图案以及光罩测量图案，从而有利于将光罩计量数据与晶圆计量数据关联。该光罩对位图案还可包括一个或多个最外结构元件，其经设计以在光学邻近校正过程中保护该光罩测量图案内的其它结构元件免受修改。本发明提供一种光学邻近校正过程的方法，其中，可获得光罩测量图案并对其分类，以添加或修改该光学邻近校正过程的规则组。
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公开(公告)号：CN105452963B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201480044273.4
申请日：2014-08-05
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： S·I·马萨瓦特 , H·克拉莫 , W·J·格鲁特吉恩斯 , A·范李斯特
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G03F7/705 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G03F7/70625 , G03F9/7092
Abstract: 用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品，其可以应用于例如显微结构的量测中。重要的是重构提供结构的所感兴趣的参数(例如，CD)的值，当重构值被用于监测和/或控制光刻过程时所述值是精确的。这是一种通过使用结构的参数的重构值预测(804)结构的所感兴趣的参数的值并且通过对比(805)所感兴趣的参数的预测值和所感兴趣的参数的重构值来评价结构的所感兴趣的参数的值的重构(803)品质的方法，其不需要使用扫描电子显微镜。
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公开(公告)号：CN104220932B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380019174.6
申请日：2013-01-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·登博夫
IPC: G03F7/20 , G01N21/956
CPC classification number: G01J3/4412 , G01J3/44 , G01N21/4788 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G02B5/205 , G03F7/70591 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F9/7026
Abstract: 一种光谱散射仪检测从目标光栅上的照射光斑衍射的零阶或高阶辐射。设备形成并且检测了零阶(反射)辐射的光谱，并且单独地形成并检测高阶衍射辐射的光谱。使用对称相位光栅形成每个光谱，以便于形成并且检测对称光谱对。成对的光谱可以平均以获得具有减小的焦点敏感性的单个光谱。比较两个光谱可以产生用于改进后续光刻步骤中的高度测量的信息。目标光栅被倾斜定向以使得零阶和高阶辐射在不同平面中从光斑发出。两个散射仪可以同时操作，从而从不同倾斜方向照射目标。径向透射滤光片减小了光斑中的旁波瓣并且减小了产品交叉串扰。
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公开(公告)号：CN106030282A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480039781.3
申请日：2014-06-03
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 李列泉 , 利奥尼德·波斯拉夫斯基
CPC classification number: G03F7/70625 , G01D21/00 , G01N23/20 , G05B99/00 , G06F11/30 , G06F17/40 , G06F19/00 , G06Q50/04 , H05K13/08 , Y02P90/30
Abstract: 本发明描述用于光学度量衡的自动波长或角度修剪。用于光学度量衡的自动波长或角度修剪的方法的实施例包含：确定包含多个参数的结构的模型；设计并计算用于所述模型的波长相依或角度相依数据的数据集；将所述数据集存储在计算机存储器中；用处理器执行对用于所述模型的所述数据集的分析，包含：对所述数据集应用离群值检测技术及识别任何数据离群值，每一数据离群值为波长或角度；且如果在所述模型的所述数据集的所述分析中识别到任何数据离群值，那么从所述数据集移除对应于所述数据离群值的所述波长或角度以产生经修改数据集，并且将所述经修改数据集存储在所述计算机存储器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105874388A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071609.6
申请日：2014-12-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/706 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70683 , G06F17/5009 , G06F17/5068 , G06F2217/12 , G06F2217/14
Abstract: 描述了一种量测目标设计的方法。该方法包括：确定量测目标设计的参数对于光学像差的灵敏度、基于所述灵敏度与光学系统的像差的乘积确定在对于量测目标设计的参数的影响与对于使用光刻设备的光学系统进行曝光的产品设计的参数的影响之间的差异。该方法还包括：确定量测目标设计的参数对于多个像差中的每个像差的灵敏度；和基于所述灵敏度与用于光学系统的相应的像差的乘积的总和来确定对于量测目标设计的参数的影响。该参数可以是重叠误差、临界尺寸和聚焦。该像差可以在曝光狭缝上有所不同，但是灵敏度基本上独立于狭缝位置。
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公开(公告)号：CN103443900B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280008607.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70491 , G03F7/70625 , H01L22/12
Abstract: 描述了生成用于计量的宽处理范围库的方法。例如，方法包括生成第一库，该第一库具有针对第一参数的第一处理范围。生成第二库，该第二库具有针对所述第一参数的第二处理范围。所述第二处理范围与所述第一处理范围重叠。所述第二库被拼接至所述第一库以生成第三库，该第三库具有针对所述第一参数的第三处理范围。所述第三处理范围比所述第一处理范围和第二处理范围的中每一者都宽。
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公开(公告)号：CN105684127A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480054894.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 史帝蓝·伊凡渥夫·潘戴夫 , 安德烈·V·舒杰葛洛夫
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70641 , G01N21/956 , G03F7/70625 , H01L22/12 , H01L22/30
Abstract: 本发明揭示用于确定半导体结构的工艺参数或结构参数的设备及方法。从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号。所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，且所述经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数POI的信息及关于形成于此顶部结构下方的一或多个底层的一或多个底层参数的信息。产生特征提取模型以从此类经获取的光学信号提取多个特征信号使得所述特征信号含有用于所述POI的信息且排除用于所述底层参数的信息。基于通过所述特征提取模型提取的所述特征信号来确定每一区段的每一顶部结构的POI值。
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公开(公告)号：CN105339844A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035531.2
申请日：2014-05-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·博加特 , F·比杰南 , A·登博夫 , S·G·J·马斯杰森
CPC classification number: G03F7/70483 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/656 , G03F7/70625
Abstract: 衬底设置有器件结构和量测结构(800)。器件结构包括展现出对一个或多个波长的激发辐射的非弹性散射的材料。器件结构包括在一个或多个尺寸上足够小以致非弹性散射的特性显著地受量子约束的影响的结构。量测结构(800)包括在组成和尺寸上类似于器件特征的器件状结构(800b)，和校准结构(800a)。校准结构在组成上类似于器件结构但在至少一个尺寸上不同于器件结构。使用实施拉曼光谱术的检查设备和方法，通过将从器件状结构非弹性地散射的辐射的光谱特征与从校准结构非弹性地散射的辐射的光谱特征进行比较可以测量出器件状结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN105319866A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455614.3
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70683 , G01B11/0641 , G01N21/93 , G01N21/956 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , H01L23/544
Abstract: 本公开提供了目标基板、光刻测量方法和基板。一种基板可以包括：在基板上的包括在集成电路中的特征图案；和在基板上的与特征图案间隔开的原位测量图案，该原位测量图案和特征图案两者被配置为相对于基板的表面具有相同的高度。
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