温度测量装置和温度测量方法

    公开(公告)号:CN102692282B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210080758.1

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 本发明提供温度测量装置和温度测量方法。能够同时测量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度。该温度测量装置包括:第1光分离部件,其用于将来自光源的光分成多个测量用的光;多个第2光分离部件,其用于将多个测量用的光分别分成测量光和参照光;第3光分离部件,其用于将测量光分成n个测量光即第1测量光~第n测量光;参照光反射部件,其用于将多个参照光分别反射;一个光路长度变化部件,其用于使从参照光反射部件反射的参照光的光路长度变化;多个光检测器,其用于对从温度测量对象物反射的第1测量光~第n测量光与从参照光反射部件反射的多个参照光之间的干涉进行测量。

    用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备

    公开(公告)号:CN102980663A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210259976.1

    申请日:2012-07-20

    CPC classification number: G01J5/0007 H01L21/67248

    Abstract: 本发明提供了用于使用独立光源的晶片温度测量的方法和设备。在蚀刻处理期间测量衬底温度的设备包括:形成在衬底支撑表面中的一个或多个窗口;被构造为脉冲产生第一信号的第一信号发生器;以及定位为接收从第一信号发生器透射穿过一个或多个窗口的能量的第一传感器。在蚀刻处理期间测量衬底温度的方法包括:使用辐射能量加热衬底;脉冲产生第一光;在第一光被脉冲打开时确定表征穿过衬底的总透射率的度量值;在第一光被脉冲关闭时确定表征穿过衬底的背景透射率的度量值;以及确定衬底的处理温度。

    温度测量装置和温度测量方法

    公开(公告)号:CN102692282A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210080758.1

    申请日:2012-03-23

    Abstract: 本发明提供温度测量装置和温度测量方法。能够同时测量多个处理腔室内的温度测量对象物的温度。该温度测量装置包括:第1光分离部件,其用于将来自光源的光分成多个测量用的光;多个第2光分离部件,其用于将多个测量用的光分别分成测量光和参照光;第3光分离部件,其用于将测量光分成n个测量光即第1测量光~第n测量光;参照光反射部件,其用于将多个参照光分别反射;一个光路长度变化部件,其用于使从参照光反射部件反射的参照光的光路长度变化;多个光检测器,其用于对从温度测量对象物反射的第1测量光~第n测量光与从参照光反射部件反射的多个参照光之间的干涉进行测量。

    基板冷却控制
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102405510A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201080018142.0

    申请日:2010-04-12

    Abstract: 提供精确控制基板冷却的方法与装置。测量基板温度的装置可包括冷却板,冷却板用以支撑基板;传感器,传感器用以提供基板置于冷却板上时与基板的温度相对应的数据;及计算机,计算机耦接至传感器以根据传感器数据确定基板温度。测量基板温度的方法可包括提供要冷却的基板至腔室,腔室具有置于其中的冷却板、提供与基板温度相对应的数据的传感器、及耦接至传感器的计算机;在预定第一时间间隔过去后,感测基板的第一温度;比较第一温度与预定温度;并确定第一温度是否大于、等于或小于预定温度。

    太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统

    公开(公告)号:CN107478336A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710783618.3

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: G01J5/0007

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统。其中,太赫兹成像阵列芯片,由太赫兹成像单元按照像素点等间距排列,该太赫兹成像单元包括:衬底;太赫兹吸收层结构板,位于衬底上方,与衬底之间存在距离;悬空驱动臂,位于太赫兹吸收层结构板的两侧,其中一端固定,一端悬空,悬空的一侧与太赫兹吸收层结构板固定,包括两层不同膨胀系数的材料;以及固定结构,连接衬底和悬空驱动臂的固定端。该太赫兹成像阵列芯片具有自动的温度补偿功能;并采用激光及CCD光学信号采集系统直接成像,省去了与输出电路的集成,结构简单,成本较低。

    使用两个温度传感装置调整CVD反应器过程室内温度的设备和方法

    公开(公告)号:CN105934659A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201480074076.7

    申请日:2014-12-15

    Abstract: 本发明涉及一种用于热处理,尤其用于涂敷底物(9)的设备和方法,包括由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整的加热装置(11)。为防止温度偏移,建议第二温度传感装置(8)用于识别第一温度传感装置(7、12)的温度偏移和再校准第一温度传感装置(7、12)。第一温度传感装置(7、12)确定在敏感体(10)第一位置(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的温度。第二温度传感装置(8)确定在敏感体(10)第二位置的温度。在测量间隔,用第二温度传感装置(8)测量尤其底物(9)的表面温度。将这一测量值与额定值比较,此时,若额定值偏离测得的实际值则形成修正系数,将修正系数加入第一温度传感装置(7、12)的用于调整加热装置(11)的测量值,目的是使由第二温度传感装置(8)测得的温度实际值能接近相关的温度额定值。

Patent Agency Ranking