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公开(公告)号：CN102959138B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080058400.8
申请日：2010-12-15
申请人： 六号元素有限公司
发明人： D·J·特威切恩 , H·K·迪隆 , G·A·斯卡斯布鲁克
CPC分类号： C30B29/04 , C30B25/00 , C30B25/105
摘要： 制备生长的单晶金刚石基材的方法，该方法包括：（a）提供呈现出（001）主表面的第一金刚石基材，该主表面受至少一个 边缘约束，所述至少一个 边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个 边缘正交的表面的任何尺寸；和（b）在化学气相沉积（CVD）合成条件下在金刚石材料表面的（001）主表面上同质外延生长金刚石材料，金刚石材料垂直于主（001）表面生长，并且由此横向生长。
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公开(公告)号：CN103764882A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042553.2
申请日：2012-08-30
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/04 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C30B7/10 , C30B25/00
摘要： 本发明提供一种单晶金刚石，其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍；并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石，首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理（S1）。在真空室中，经过脱氮处理的烃类气体（例如）在1200℃至2300℃（包括端值）的温度下在基底上热分解，从而制得碳原料（S2）。用这种碳原料合成金刚石，并且从该金刚石上切割出籽晶（S3）。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中，通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石（S4）。
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公开(公告)号：CN102137960B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980134190.3
申请日：2009-08-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C30B29/38 , B24B1/00 , C30B33/00
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02013 , H01L21/02389
摘要： 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
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公开(公告)号：CN103367121A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210085270.8
申请日：2012-03-28
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C30B25/183 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L51/0048
摘要： 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述基底的第一外延生长面生长一缓冲层；在所述缓冲层远离基底的表面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的缓冲层表面生长一第一外延层；去除所述基底及所述缓冲层，暴露出所述碳纳米管层，形成一包括所述第一外延层及所述碳纳米管层的外延衬底；以及将所述外延衬底暴露有碳纳米管层的表面作为一第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
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公开(公告)号：CN102292287A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005241.5
申请日：2010-01-28
申请人： 萨里纳米系统有限公司
CPC分类号： C30B25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/152 , C01B32/16 , C30B29/02 , C30B29/602
摘要： 在用于形成碳纳米材料的化学气相沉积(CVD)过程中，乙炔气体供给物(10)由过滤器(12)过滤以除去挥发性烃气体，随后该乙炔气体被供应至质量流量控制器(14)。所述质量流量控制器(14)可使经过滤的所述乙炔气体与所述挥发性烃气体供给物混合，以使气体混合物含有选定比例的所述挥发性烃气体。所述过滤器(12)通过使所述乙炔气体经过活性炭来进行过滤。
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公开(公告)号：CN101205061B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610157866.9
申请日：2006-12-22
申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C30B25/00 , C30B29/02
摘要： 一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN1914126B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480041431.7
申请日：2004-12-10
申请人： 六号元素有限公司
IPC分类号： C03B29/04
摘要： 在CVD单晶金刚石材料中引入起源标记如商标或指印的方法，包括以下步骤：提供金刚石基材，提供源气体，离解该源气体因此实施同质外延金刚石生长，和以控制方式将掺杂剂引入到源气体中以便在该合成金刚石材料中产生起源标记或指印。选择掺杂剂以使得该起源标记或指印不容易检测到或在正常观察条件下不影响金刚石材料的所察觉质量，但是该起源标记或指印在特殊的观察条件下是可检测或致使可检测的，例如当暴露于规定波长的光或辐射时。起源标记或指印的检测可以是目视检测或使用例如特定的光学仪器设备的检测。
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公开(公告)号：CN101802274A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880003999.8
申请日：2008-11-13
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/00 , C30B23/025 , C30B25/00 , C30B25/18
摘要： 本发明公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法能够稳定地生长具有大孔径和厚度的AlN晶体。本发明具体公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法包括准备具有主面(4m)的SiC衬底(4)的步骤，在所述主面(4m)中，管径为1000μm以上的微型管(4mp)的密度为0cm-2，且管径为100μm以上且小于1000μm的微型管(4mp)的密度为0.1cm-2以下；和通过气相淀积在所述主面(4m)上生长AlN晶体(5)的步骤。
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公开(公告)号：CN101086963B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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