单晶金刚石材料
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102959138B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201080058400.8

    申请日:2010-12-15

    IPC分类号: C30B25/00 C30B29/04 C30B25/10

    摘要: 制备生长的单晶金刚石基材的方法,该方法包括:(a)提供呈现出(001)主表面的第一金刚石基材,该主表面受至少一个 边缘约束,所述至少一个 边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个 边缘正交的表面的任何尺寸;和(b)在化学气相沉积(CVD)合成条件下在金刚石材料表面的(001)主表面上同质外延生长金刚石材料,金刚石材料垂直于主(001)表面生长,并且由此横向生长。

    单晶金刚石及其制造方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103764882A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201280042553.2

    申请日:2012-08-30

    IPC分类号: C30B29/04 C01B31/06

    摘要: 本发明提供一种单晶金刚石,其由碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的碳以及除了碳以外的多种不可避免的杂质构成。该不可避免的杂质包括氮、硼、氢和镍;并且所述多种不可避免的杂质中的氮、硼和氢的总含量设定为0.01质量%以下。为了制得这种单晶金刚石,首先对碳同位素12C的浓度为99.9质量%以上的烃类气体进行脱氮处理(S1)。在真空室中,经过脱氮处理的烃类气体(例如)在1200℃至2300℃(包括端值)的温度下在基底上热分解,从而制得碳原料(S2)。用这种碳原料合成金刚石,并且从该金刚石上切割出籽晶(S3)。将所述籽晶与溶剂和碳原料一同容纳在腔体中,通过高温高压合成方法由所述籽晶生长出单晶金刚石(S4)。

    在CVD金刚石中引入标记的方法

    公开(公告)号:CN1914126B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200480041431.7

    申请日:2004-12-10

    IPC分类号: C03B29/04

    摘要: 在CVD单晶金刚石材料中引入起源标记如商标或指印的方法,包括以下步骤:提供金刚石基材,提供源气体,离解该源气体因此实施同质外延金刚石生长,和以控制方式将掺杂剂引入到源气体中以便在该合成金刚石材料中产生起源标记或指印。选择掺杂剂以使得该起源标记或指印不容易检测到或在正常观察条件下不影响金刚石材料的所察觉质量,但是该起源标记或指印在特殊的观察条件下是可检测或致使可检测的,例如当暴露于规定波长的光或辐射时。起源标记或指印的检测可以是目视检测或使用例如特定的光学仪器设备的检测。