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公开(公告)号:CN101213321B
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN200680020804.1
申请日:2006-05-11
申请人: 萨里纳米系统有限公司
发明人: 森布提拉切莱格·拉维·希尔瓦 , 本·保罗·延森 , 陈冠佑
CPC分类号: C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/46 , Y10T428/265
摘要: 本发明提供了纳米结构体的制造方法和设备。本发明涉及一种形成纳米结构体或纳米材料的方法。所述方法包括在基底(15)上设置热控制阻挡层(17)并形成所述纳米结构体或纳米材料。所述方法,例如,可以用于通过使用含碳气体等离子的等离子增强化学气相沉积来形成碳纳米管。在形成所述碳纳米管的过程中,所述基底(15)的温度可以保持在低于350℃。
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公开(公告)号:CN102292287A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201080005241.5
申请日:2010-01-28
申请人: 萨里纳米系统有限公司
CPC分类号: C30B25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/152 , C01B32/16 , C30B29/02 , C30B29/602
摘要: 在用于形成碳纳米材料的化学气相沉积(CVD)过程中,乙炔气体供给物(10)由过滤器(12)过滤以除去挥发性烃气体,随后该乙炔气体被供应至质量流量控制器(14)。所述质量流量控制器(14)可使经过滤的所述乙炔气体与所述挥发性烃气体供给物混合,以使气体混合物含有选定比例的所述挥发性烃气体。所述过滤器(12)通过使所述乙炔气体经过活性炭来进行过滤。
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公开(公告)号:CN101213321A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200680020804.1
申请日:2006-05-11
申请人: 萨里纳米系统有限公司
发明人: 森布提拉切莱格·拉维·希尔瓦 , 本·保罗·延森 , 陈冠佑
CPC分类号: C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/46 , Y10T428/265
摘要: 本发明提供了纳米结构体的制造方法和设备。本发明涉及一种形成纳米结构体或纳米材料的方法。所述方法包括在基底(15)上设置热控制阻挡层(17)并形成所述纳米结构体或纳米材料。所述方法,例如,可以用于通过使用含碳气体等离子的等离子增强化学气相沉积来形成碳纳米管。在形成所述碳纳米管的过程中,所述基底(15)的温度可以保持在低于350℃。
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