公开(公告)号：CN104599976A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410817601.1

申请日：2014-12-24

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 丁海舰 ,  王敏锐 ,  张宝顺

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

CPC classification number: B23K35/40 ,  B23K35/22 ,  B23K2101/36 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/351 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及一种制备无铅焊料合金的方法，首先在基底上制备金属I薄膜；其次在金属I薄膜表面制备金属II薄膜；最后在金属II薄膜表面制备纳米银层，得到无铅焊料合金。其中，金属I为Cu、Ag、Bi、Zn、In或Ni中的一种，金属II为Sn。本发明还提供利用上述方法制备的无铅焊接合金，包括若干金属薄膜层，金属薄膜层依次为金属I薄膜、金属II薄膜和纳米银层，且金属I薄膜、金属II薄膜、纳米银层的厚度比为1～100:1～100:0.01～0.1，无铅焊料合金的熔点小于或者等于180℃。采用本发明的方法制备的无铅焊料合金，其熔点小于或等于180℃，使电子元器件与基板可以使用在较低的温度下进行回流焊接。

公开(公告)号：CN104011254A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280064719.0

申请日：2012-12-10

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 若柳俊一 ,  渡边荣作

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/34 ,  C23C14/351 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 在利用等离子体溅射连续地进行贵金属膜的成膜处理时，防止由于腔室的内壁被贵金属覆膜覆盖而使二次电子的发射特性降低的情况，以谋求生成和维持等离子体。在进行使贵金属膜形成在任意的基板上的成膜处理之后且在对接下来的基板进行成膜处理之前，在腔室内壁形成由二次电子发射系数比该贵金属的二次电子发射系数高的材料构成的二次电子发射覆膜。

公开(公告)号：CN101903559B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980000400.X

申请日：2009-03-02

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 细谷裕之 ,  恒川孝二 ,  永峰佳纪

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/505 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  C23C14/351 ,  C23C14/352 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01J37/3402 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法。该基板处理装置能够根据形成的膜的材质来切换是否对基板施加磁场，从而能够在同一个室内形成磁性层和非磁性层这两者。溅射装置(100)包括：基板保持架(102)，支承基板(W)；磁铁保持架(106)，配置在基板保持架的周围；磁铁(104)，可移动地载置在磁铁保持架上；支承构件(103)，面向磁铁地突出设置在基板保持架上；连结构件(105)，面向基板保持架地突出设置在磁铁上；旋转机构(121)，使基板保持架或磁铁保持架中的至少一个转动；连结切换机构(122)，在通过旋转机构的转动而使支承构件与连结构件的位置对齐时，使基板保持架上下运动而将支承构件与连结构件结合或脱离，切换是否对基板(W)施加磁场。

公开(公告)号：CN102245798A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150338.2

申请日：2009-12-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森本直树 ,  滨口纯一

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01J37/3405 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/351 ,  C23C14/358 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3458 ,  H01L21/2855

Abstract: 提供一种溅镀装置，对在基板表面上形成的长宽比很高的各微孔，可以覆盖性良好的成膜。该溅镀装置包括：配置有基板W的真空腔1；阴极单元C，面对基板安装在真空腔内，构成为将有底桶状的靶材4以靶材的底部侧先进入的方式安装在形成于托架2单侧上的至少一个凹部3内，同时组装上在靶材的内部空间产生磁场的磁场发生设备6；施加有正电压的阳极屏蔽层8；向真空腔内导入指定的溅射气体的气体导入设备12；向所述阴极单元中施加功率的电源；垂直磁场发生设备，其由在将所述阴极单元和基板连接起来的基准轴的周围，安装在真空腔壁上的线圈15，以及能向各线圈通电的电源构成；控制气体导入设备导入溅射气体的控制设备16。

公开(公告)号：CN101842868A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200780101402.9

申请日：2007-11-01

Applicant: 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)

Inventor： J·拉姆 ,  B·韦德里格 ,  D·库拉波夫

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/228 ,  C23C14/35 ,  C23C14/351 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32541

Abstract: 当借助于阳极(9)与阴极(7)之间的真空等离子体放电处理工件或基底表面并由此由于这种处理固体(19)在阳极表面(21)上形成并沉积时，该固体的DC比阻抗高于阳极材料的DC比阻抗，至少部分阳极表面通过在那里建立屏蔽等离子体(25)而屏蔽于这种沉积。

公开(公告)号：CN101418434A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710202213.2

申请日：2007-10-23

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 骆世平

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/351 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种溅镀载台，用于承载被镀物以进行溅镀制程。该溅镀载台包括本体和承载体，所述本体为由第一边框、第二边框、第三边框和第四边框组成的中空框体，所述第一边框和第三边框相对设置且分别设置有长形凹槽，所述第二边框和第四边框相对设置且分别设置有线圈，所述承载体为由第五边框、第六边框、第七边框和第八边框组成的中空框体，所述第五边框与第七边框相对设置且分别向远离承载体的方向形成突块，所述突块活动地设置在所述凹槽内，所述突块靠近所述第六边框或第八边框，所述第六边框或者第八边框上设有磁铁。

公开(公告)号：CN1019251B

公开(公告)日：1992-11-25

申请号：CN88107590

申请日：1988-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01B12/00

CPC classification number: H01L39/2435 ,  C23C14/087 ,  C23C14/351 ,  Y10S505/727 ,  Y10S505/731

Abstract: 一种用于制造超导氧化物陶瓷材料薄膜的方法，其中彼此分开且相对放置的一对靶在其上具有薄膜形成表面部分，以使一个磁场施加在垂直或平行于该磁场放置的靶之间，由此通过磁场和薄膜形成表面部分的直接接触在薄膜生长过程中使晶体取向。

公开(公告)号：CN1032885A

公开(公告)日：1989-05-10

申请号：CN88107590

申请日：1988-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01B12/00

CPC classification number: H01L39/2435 ,  C23C14/087 ,  C23C14/351 ,  Y10S505/727 ,  Y10S505/731

Abstract: 一种用于制造超导氧化物材料薄膜的溅射装置，其中彼此分开且相对放置的一对靶在其上具有薄膜形成表面部分，以使一个磁场施加在垂直或平行于该磁场放置的靶之间，由此通过磁场和薄膜形成表面部分的直接接触在薄膜生长过程中使晶体取向。

公开(公告)号：CN103526168B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210365147.1

申请日：2012-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阙嘉良 ,  刘旭水 ,  白峻荣 ,  陈培侬 ,  汪业杰

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3455 ,  C23C14/351 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408

Abstract: 本发明公开了包括周转齿轮系统的磁性装置。所述周转齿轮系统包括被配置成旋转的中心齿轮；至少一个外围齿轮，连接至中心齿轮并且被配置成相对所于述中心齿轮旋转和平移；以及环绕所述至少一个外围齿轮并且与所述至少一个外围齿轮连接的环。所述磁性装置进一步包括与所述周转齿轮系统连接的磁性组件，所述磁性组件包括与所述至少一个外围齿轮连接的支撑件，所述支撑件的旋转轴与连接所述支撑件的至少一个外围齿轮的旋转轴同轴。本发明还公开了具有周转齿轮系统的磁性组件及其使用方法。

公开(公告)号：CN105543781A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510978378.3

申请日：2015-12-23

Applicant: 兰州交通大学

Inventor： 班云霄 ,  杨慧君

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/351

Abstract: 本发明旨在提供一种对磁性粉体颗粒进行真空镀膜的装置及镀膜方法。发明利用磁性粉体颗粒对交变磁场的响应，使之在真空室内进行升空（堆砌）、跌落、翻转（旋转）等状态的变化，从而可以使得磁性粉体颗粒在真空环境中进行均匀真空镀膜。发明利用奥氏体不锈钢制作真空室，采用继电器控制交变磁场的变化，以达到获得对磁性粉体颗粒进行均匀、致密镀膜的目的。