公开(公告)号：CN1615529A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802283.4

申请日：2003-01-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑 ,  山崎阳太郎

IPC: H01F10/16

CPC classification number: H01L27/08 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/15358 ,  H01F5/00 ,  H01F10/132 ,  H01F10/14 ,  H01F10/3204 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/04 ,  H01F41/0226 ,  H01F41/046

Abstract: 本发明提供一种高频用磁性薄膜，其中，含有由T－L组合物构成的第1层，其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在上述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。本发明的高频用磁性薄膜，通过层叠、优选交替地层叠了多个第1层和多个第2层的多层膜结构构成为好。本发明的高频用磁性薄膜，能够得到在1GHz下的复数磁导率的实数部(μ’)为400或以上、并且性能指数Q(Q＝μ’/μ”)为4或以上、饱和磁化为14kG(1.4T)或以上的特性。

公开(公告)号：CN104272403B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480000883.4

申请日：2014-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健一 ,  崔京九 ,  桥本龙司

IPC: H01F1/057

Abstract: 本发明提供一种既具有与现有的Nd‑Fe‑B系永久磁铁同等磁特性又轻质且适合作为永久磁铁同步旋转电机的励磁用磁铁的R‑T‑B系永久磁铁。通过在形成主相的化合物的组成为(R1‑x(Y1‑zCez)x)2T14B(R是由选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上所构成的稀土元素，Y是钇，Ce是铈，T是以Fe或者Fe和Co为必要元素的1种以上的过渡金属元素，B是硼，0.0＜x≤0.5，0.0≤z≤0.5)的情况下，占据四方晶R2T14B结构中的4f晶位的Y即Y4f与占据4g晶位的Y即Y4g的存在比率Y4f/(Y4f+Y4g)为0.8≤Y4f/(Y4f+Y4g)≤1.0，从而得到既具有与现有的Nd‑Fe‑B系永久磁铁同等的磁特性又轻质的磁铁。

公开(公告)号：CN104272403A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201480000883.4

申请日：2014-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健一 ,  崔京九 ,  桥本龙司

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F1/0577 ,  H02K1/02 ,  H02K21/12

Abstract: 本发明提供一种既具有与现有的Nd-Fe-B系永久磁铁同等磁特性又轻质且适合作为永久磁铁同步旋转电机的励磁用磁铁的R-T-B系永久磁铁。通过在形成主相的化合物的组成为(R1-x(Y1-zCez)x)2T14B(R是由选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的1种以上所构成的稀土元素，Y是钇，Ce是铈，T是以Fe或者Fe和Co为必要元素的1种以上的过渡金属元素，B是硼，0.0＜x≤0.5，0.0≤z≤0.5)的情况下，占据四方晶R2T14B结构中的4f晶位的Y即Y4f与占据4g晶位的Y即Y4g的存在比率Y4f/(Y4f+Y4g)为0.8≤Y4f/(Y4f+Y4g)≤1.0，从而得到既具有与现有的Nd-Fe-B系永久磁铁同等的磁特性又轻质的磁铁。

公开(公告)号：CN104124019A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410168557.6

申请日：2014-04-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且能够在低温下制造的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B系结晶层和Ce-T-B结晶层，从而形成R1-T-B系结晶层和Ce-T-B系结晶层的层叠构造，可以在维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场的同时由Ce-T-B系结晶层降低结晶化温度。

公开(公告)号：CN104112555A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410154198.9

申请日：2014-04-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 榎户靖 ,  崔京九 ,  桥本龙司 ,  田中大介

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08

CPC classification number: H01F1/0536 ,  H01F1/0577

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。通过对成为原料的R-T-B系磁铁施行长时间热处理，从而将主相颗粒核壳化，所述R-T-B系磁铁包含具有核部和被覆所述核部的壳部的主相颗粒，当使所述核部中的R1和Y的质量浓度分别为αR1、αY且使所述壳部中的R1和Y的质量浓度分别为βR1、βY时，所述壳部中的R1和Y的质量浓度比率（βR1/βY=B）与所述核部中的R1和Y的质量浓度比率（αR1/αY=A）之比（B/A）为1.1以上，由此，防止添加Y所引起的矫顽力降低，且从添加Y所引起的温度特性提高效果来提高高温下的磁特性。

公开(公告)号：CN104081217A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280068264.X

申请日：2012-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健一 ,  近松努 ,  小川昭雄 ,  崔京九 ,  桥本龙司

IPC: G01R33/12

CPC classification number: G01R33/12 ,  G01R33/10 ,  G01R33/1215

Abstract: 本发明在于提供可以测量薄板状的磁性体试样的微小区域的磁特性的磁场测量装置。其中，在对磁性体试样(5)施加磁场并使之磁化之后，通过由测量部(2)扫描从而检测磁性体试样(5)的泄漏磁通。通过对磁性体试样(5)的第1区域和第2区域在彼此相反的方向上使其磁化并减小退磁场(Hd)，从而使磁通泄漏到外部。具体而言，由具有一对以上磁极的磁场产生部(6)来进行多极着磁，或者由磁场产生部(6)施加阻尼振荡磁场来进行着磁，或者由一边施加交流磁场一边扫描试样表面的局部磁场产生部(3)来进行着磁。

公开(公告)号：CN101996766A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010260967.5

申请日：2010-08-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大塚隆史 ,  崔京九 ,  浪川达男 ,  山口仁

IPC: H01G4/228 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C1/14 ,  H01C17/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L28/55 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T29/417 ,  Y10T156/1056 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，其能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高电气特性以及可靠性等。作为电子部件的电容器(1)形成有，在基板(2)上形成的电路元件(5)、与电路元件(5b)连接的电极层(5a)、覆盖电极层(5a)的保护层(6、8)、经由贯通保护层(6、8)的通孔导体(Va、Vb)而与电极层(5a)相连接并且覆盖保护层(6、8)的侧壁面而形成的端子电极(9a、9b)，由此，垫片电极(9a、9b)被形成为覆盖从保护层(6、8)的最上面直至侧壁面，因而焊料与垫片电极(9a、9b)接触的面积增大，并能够提高焊接安装时的电容器(1)的固定强度。

公开(公告)号：CN1801410B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510104698.2

申请日：2005-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F17/00 ,  G11B5/31

Abstract: 本发明提供具有高共振频率，高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底2上设置平面线圈4以及磁性薄膜1，在连接用端子J1，J2之间形成电感器。相对于衬底2的表面，沿着倾斜方向使磁性薄膜1中的倾斜生长磁性层11晶体生长成柱状(倾斜生长磁性体12)。在该倾斜生长磁性层11中，为了使倾斜生长磁性体12软磁化，向倾斜生长磁性体12混入绝缘体13。使得倾斜生长磁性层11显示出面内晶体磁各向异性，同时提高该面内晶体磁各向异性，增加各向异性磁场。能够只通过倾斜生长磁性层11的晶体生长方向来改变各向异性磁场Hk，从而增加各向异性磁场Hk，提高磁性薄膜1的共振频率fr而不降低饱和磁化强度4πMs。

公开(公告)号：CN1849676A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026004.1

申请日：2004-09-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  山崎阳太郎 ,  村濑琢

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/13 ,  H01F41/18 ,  H01F17/00

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/132 ,  H01F10/265 ,  H01F41/301 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/32

Abstract: 通过采用由非晶状态的强磁性金属和与该强磁性金属不同的非晶金属形成的DM(不连续多层)结构，实现了在GHz频带的高频区具有高的磁导率且具有高的饱和磁化的高频用磁性薄膜。此时，优选：(i)强磁性金属是以Fe或FeCo为主成分、并含有选自C、B和N的1种或2种以上的元素的金属，非晶金属是Co系非晶合金；(ii)非晶金属是CoZrNb。

公开(公告)号：CN1801410A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510104698.2

申请日：2005-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九

IPC: H01F10/08 ,  H01F10/30 ,  H01F41/14 ,  H01F17/00 ,  G11B5/31

Abstract: 本发明提供具有高共振频率，高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底2上设置平面线圈4以及磁性薄膜1，在连接用端子J1，J2之间形成电感器。相对于衬底2的表面，沿着倾斜方向使磁性薄膜1中的倾斜生长磁性层11晶体生长成柱状(倾斜生长磁性体12)。在该倾斜生长磁性层11中，为了使倾斜生长磁性体12软磁化，向倾斜生长磁性体12混入绝缘体13。使得倾斜生长磁性层11显示出面内晶体磁各向异性，同时提高该面内晶体磁各向异性，增加各向异性磁场。能够只通过倾斜生长磁性层11的晶体生长方向来改变各向异性磁场Hk，从而增加各向异性磁场Hk，提高磁性薄膜1的共振频率fr而不降低饱和磁化强度4πMs。