公开(公告)号：CN1222486C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN99115982.9

申请日：1999-12-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 村濑

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/45 ,  H01F1/00 ,  H01Q17/00

CPC classification number: H01Q17/004

Abstract: 本发明涉及一种由含有氧化镍2.0～14.5摩尔%、氧化铜3.5～17.0摩尔%、氧化锌30.0～33.0摩尔%、氧化锰0.5～10.0摩尔%、氧化铁40.0～50.5摩尔%范围的MnNiCuZn铁氧体为主成分制作的电波吸收体，因此，能够获得一种在从低频率带域起的广大的频率带域其反射量在-20dB或以下，而且，配合厚度薄，电波吸收体制造成本能够降低的电波吸收体。

公开(公告)号：CN1615529A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN03802283.4

申请日：2003-01-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑 ,  山崎阳太郎

IPC: H01F10/16

CPC classification number: H01L27/08 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/15358 ,  H01F5/00 ,  H01F10/132 ,  H01F10/14 ,  H01F10/3204 ,  H01F17/0006 ,  H01F17/0013 ,  H01F17/04 ,  H01F41/0226 ,  H01F41/046

Abstract: 本发明提供一种高频用磁性薄膜，其中，含有由T－L组合物构成的第1层，其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在上述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。本发明的高频用磁性薄膜，通过层叠、优选交替地层叠了多个第1层和多个第2层的多层膜结构构成为好。本发明的高频用磁性薄膜，能够得到在1GHz下的复数磁导率的实数部(μ’)为400或以上、并且性能指数Q(Q＝μ’/μ”)为4或以上、饱和磁化为14kG(1.4T)或以上的特性。