-
公开(公告)号：CN113540044A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110807393.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构。在低电容导向二极管型TVS阵列或者多通道多引脚的ESD防护设计中，该版图将各模块合理的排布在相应区域内，利用单层金属连接形成完整的信号通路，达到低成本的单层金属布局结构的同时优化了电流分布，减小了版图面积，同时降低了芯片生产成本，提高了器件鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN116339433B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202310556226.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，属于电子电路领域。该带隙基准源包含启动电路、带隙核心电路。启动电路用于电路上电时启动，具有多次启动功能；带隙核心电路用于产生基准电压。本发明通过在带隙核心电路模块中采用共源共栅电流镜，提高了无运放结构电路的镜像精度，并且通过采用无运放结构，极大降低了带隙电路的整体低频噪声。
-
公开(公告)号：CN116339433A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310556226.9
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，属于电子电路领域。该带隙基准源包含启动电路、带隙核心电路。启动电路用于电路上电时启动，具有多次启动功能；带隙核心电路用于产生基准电压。本发明通过在带隙核心电路模块中采用共源共栅电流镜，提高了无运放结构电路的镜像精度，并且通过采用无运放结构，极大降低了带隙电路的整体低频噪声。
-
公开(公告)号：CN115332354A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211033224.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET结构，包括金属化漏极、高掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、第二导电类型半导体阱、高掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、高掺杂第一导电类型半导体源极接触区、高掺杂第一导电类型半导体导流层、第一导电类型半导体JFET区、金属化源极、栅氧化层、肖特基金属区、多晶硅栅电极、氧化层、N+多晶硅短路层；本发明采用分离栅结构，在栅中部集成肖特基接触，并在JFET区中设置导流层。随漏极电压的增加，肖特基接触让JFET区快速耗尽，提前夹断，降低器件的饱和电流。导流层为电流提供的通路既能提升器件的短路电流耐受能力，又能降低器件导通电阻。
-
公开(公告)号：CN114446949A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210107119.3
申请日：2022-01-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种用于ESD的新型双雪崩NMOS器件，属于电子科学与技术领域。该器件包括漏极NSD注入、源极NSD注入、Bulk电位PSD注入、NW漂移区、Pbody区、栅氧化层、多晶硅栅极、阳极金属线、阴极金属线、第一浮空NSD区、第二浮空NSD区和短路金属线。本发明通过引入两个相互短接的浮空NSD区域，对器件第一次触发后的电子电流进行主动聚集，其结果是除了在原本的漏极NSD和N漂移区交界处形成雪崩电场外在另一个浮空NSD侧也会形成一个雪崩区域，这样该器件在进行放电时就是一个双雪崩状态，该状态能够使得NMOS形成独特的双回扫特性曲线，该特性十分适用于高压端口的ESD防护。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730271A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411931581.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。
-
公开(公告)号：CN118610232A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410819015.4
申请日：2024-06-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 华润微电子(重庆)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。
-
公开(公告)号：CN113540044B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110807393.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构。在低电容导向二极管型TVS阵列或者多通道多引脚的ESD防护设计中，该版图将各模块合理的排布在相应区域内，利用单层金属连接形成完整的信号通路，达到低成本的单层金属布局结构的同时优化了电流分布，减小了版图面积，同时降低了芯片生产成本，提高了器件鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN119399068A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411445292.X
申请日：2024-10-16
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06T5/73 , G06T3/4053 , G06V10/80 , G06V10/75 , G06N3/045
Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种基于高质量码本的双分支多尺度图像去雾方法，包括：获取原始图像超分辨率重建数据集；利用原始图像超分辨率重建数据集对VQGAN网络模型进行训练，获得码本、VQ解码器的网络结构和其对应的参数；获取原始图像去雾数据集；利用原始的图像去雾数据集对双分支多尺度图像去雾网络模型进行训练；将有雾图像输入到训练好的双分支多尺度图像去雾网络模型中得到生成的清晰无雾图像，本发明对原有雾霾图像进行重建实现了端到端的图像去雾流程，提高了有雾图像的清晰度和可识别度。
-
公开(公告)号：CN116205140A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310196124.0
申请日：2023-03-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/08 , G06N3/0442 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种基于LSTM‑ARIMA的IGBT剩余使用寿命预测方法，包括：获取IGBT加速老化数据，并对IGBT加速老化数据进行预处理生成IGBT加速老化训练样本数据；其中，所述IGBT加速老化数据包括：在老化实验中IGBT的集射极电压、栅射极电压、集电极电流、关断峰值电压、壳温和结温随时间变化的序列；利用IGBT加速老化训练样本数据对IGBT寿命预测模型进行训练；获取IGBT的历史运行数据，并对IGBT的历史运行数据进行预处理，将预处理后的IGBT历史运行数据输入训练好的IGBT寿命预测模型预测IGBT的剩余使用寿命，本发明通过多维的数据输入避免单个数据导致的误差，提高预测结果的准确性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.049 seconds)
