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公开(公告)号:CN116205140A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310196124.0
申请日:2023-03-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/08 , G06N3/0442 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种基于LSTM‑ARIMA的IGBT剩余使用寿命预测方法,包括:获取IGBT加速老化数据,并对IGBT加速老化数据进行预处理生成IGBT加速老化训练样本数据;其中,所述IGBT加速老化数据包括:在老化实验中IGBT的集射极电压、栅射极电压、集电极电流、关断峰值电压、壳温和结温随时间变化的序列;利用IGBT加速老化训练样本数据对IGBT寿命预测模型进行训练;获取IGBT的历史运行数据,并对IGBT的历史运行数据进行预处理,将预处理后的IGBT历史运行数据输入训练好的IGBT寿命预测模型预测IGBT的剩余使用寿命,本发明通过多维的数据输入避免单个数据导致的误差,提高预测结果的准确性。