公开(公告)号：CN119399068A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411445292.X

申请日：2024-10-16

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 尹学辉 ,  武沛鑫 ,  李泽宏

IPC: G06T5/73 ,  G06T3/4053 ,  G06V10/80 ,  G06V10/75 ,  G06N3/045

Abstract: 本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种基于高质量码本的双分支多尺度图像去雾方法，包括：获取原始图像超分辨率重建数据集；利用原始图像超分辨率重建数据集对VQGAN网络模型进行训练，获得码本、VQ解码器的网络结构和其对应的参数；获取原始图像去雾数据集；利用原始的图像去雾数据集对双分支多尺度图像去雾网络模型进行训练；将有雾图像输入到训练好的双分支多尺度图像去雾网络模型中得到生成的清晰无雾图像，本发明对原有雾霾图像进行重建实现了端到端的图像去雾流程，提高了有雾图像的清晰度和可识别度。

公开(公告)号：CN116205140A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310196124.0

申请日：2023-03-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 徐国皓 ,  曾潇 ,  李泽宏 ,  李红波

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/08 ,  G06N3/0442 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及一种基于LSTM‑ARIMA的IGBT剩余使用寿命预测方法，包括：获取IGBT加速老化数据，并对IGBT加速老化数据进行预处理生成IGBT加速老化训练样本数据；其中，所述IGBT加速老化数据包括：在老化实验中IGBT的集射极电压、栅射极电压、集电极电流、关断峰值电压、壳温和结温随时间变化的序列；利用IGBT加速老化训练样本数据对IGBT寿命预测模型进行训练；获取IGBT的历史运行数据，并对IGBT的历史运行数据进行预处理，将预处理后的IGBT历史运行数据输入训练好的IGBT寿命预测模型预测IGBT的剩余使用寿命，本发明通过多维的数据输入避免单个数据导致的误差，提高预测结果的准确性。

公开(公告)号：CN116073724A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310254102.5

申请日：2023-03-16

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 王亚豪 ,  李泽宏 ,  曾潇 ,  向月清

IPC: H02P21/18 ,  H02P21/13 ,  H02P21/00 ,  H02P25/022 ,  H02P6/182

Abstract: 本发明属于永磁同步电机的无位置传感器矢量控制领域，具体涉及一种表贴式永磁同步电机的全速域无位置传感器矢量控制方法；包括构建I/F启动模块，采用I/F启动模块实现表贴式永磁同步电机在中低速平稳运行并平滑切换到中高速；检测表贴式永磁同步电机切换到中高速后的定子电流；构建基于锁相环的滑模观测器，该滑模观测器根据定子电流估算定子反电势；根据得到的定子反电势的估计值获取转子的位置信息，实现表贴式永磁同步电机在中高速平稳运行；采用超前角弱磁算法改变定子电流，进一步提高表贴式永磁同步电机的转速，实现表贴式永磁同步电机全速域的无位置传感器矢量控制。

公开(公告)号：CN116435350A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310411263.0

申请日：2023-04-18

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 任敏 ,  董立航 ,  杨洋 ,  李泽宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  G01R19/00 ,  G01R15/06

Abstract: 本发明涉及一种具有电压采样功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻的浮空场环内引入MOS结构作为电压传感器，浮空环电势的变化控制MOS结构的沟道开启与关断，利用MOS结构源极外接采样电阻，其源极电压变化与IGBT耐压之间存在映射关系，由于MOS结构沟道开启需要一个阈值电压，该阈值电压映射到IGBT集电极电压上为Vst，即当IGBT集电极电压增大到Vst时，Sensor才会开始检测Vce，采样MOS源极电压变化与IGBT集电极之间的映射关系，实现局部电压采样功能，能够有效缓解采样信号动态范围和分辨率之间的矛盾，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。

公开(公告)号：CN116435351A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310411675.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 李泽宏 ,  董立航 ,  杨洋 ,  任敏

IPC: H01L29/739 ,  G01R19/00 ,  G01R15/06 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种带有电压检测功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻位处设置浮空场，在浮空场环内加入氧化物电容介质层形成两个寄生电容C1与C2，其中，C2接地，两个寄生电容为串联关系能够感测来自浮空环中的电势变化，在C1和C2之间引出电压采样电极15对寄生电容C2的电压进行测量，得到电压采样电极Vsensor与IGBT集电极电压Vce之间的对应关系，通过调整两个寄生电容的大小，能够有效控制电压采样比，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。

公开(公告)号：CN120033813A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510284002.6

申请日：2025-03-11

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 吴文强 ,  李泽宏 ,  王亚豪 ,  陈财 ,  王璇 ,  张万里

IPC: H02J7/00 ,  H02M3/335 ,  H01M10/44

Abstract: 本发明公开了电池组的主动均衡拓扑结构和方法，该拓扑结构包括：双向开关管矩阵、2个电容电感充放电电路和双向DC‑DC变换器，在串联电池组两侧分别设置双向开关管矩阵，串联电池组中的每个单体电池两侧均设置一个双向开关管，每个单体电池通过两侧的双向开关管分别与电容电感充放电电路连接，串联电池组两侧的电容电感充放电电路之间通过双向DC‑DC变换器连接；电容电感充放电电路的具体结构包括：一个电感和一个电容串联后与一个续流二极管并联；电容电感充放电电路的一端连接双向开关管矩阵，其另一端连接双向DC‑DC变换器，实现对电池单体充放电；双向DC‑DC变换器包括变压器，在变压器两侧分别对称设置1个双向MOSFET功率开关管和整流二极管；实现控制电流流向和电压转换。