公开(公告)号：CN115332354A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211033224.3

申请日：2022-08-26

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 任敏 ,  叶昶宇 ,  雷清滢 ,  任心宇 ,  吴逸凝 ,  向月清 ,  李泽宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种碳化硅MOSFET结构，包括金属化漏极、高掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、第二导电类型半导体阱、高掺杂第二导电类型半导体欧姆接触区、高掺杂第一导电类型半导体源极接触区、高掺杂第一导电类型半导体导流层、第一导电类型半导体JFET区、金属化源极、栅氧化层、肖特基金属区、多晶硅栅电极、氧化层、N+多晶硅短路层；本发明采用分离栅结构，在栅中部集成肖特基接触，并在JFET区中设置导流层。随漏极电压的增加，肖特基接触让JFET区快速耗尽，提前夹断，降低器件的饱和电流。导流层为电流提供的通路既能提升器件的短路电流耐受能力，又能降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN119224607A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411381892.4

申请日：2024-09-30

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 陈财 ,  王亚豪 ,  李泽宏 ,  王硕 ,  李苏 ,  吴文强 ,  张仁辉 ,  任敏 ,  王璇

IPC: G01R31/385 ,  G01R31/367

Abstract: 本发明属于电池技术领域，涉及一种动力电池SOC估算修正方法；包括：根据动力电池特性构建电池二阶RC等效模型，获取模型的SOC‑OCV曲线；模型上电，并获取基准SOC值；对模型的参数进行检测，检测失败，则对模型进行掉电处理，否则获取模型输出电压值VBATT和其对应的SOC值；计算模型的反馈因子，根据反馈因子对VBATT和#imgabs0#的值进行更新；根据更新后的#imgabs1#值进行电流积分；根据电流积分结果对充电/放电末期数据进行修正；本发明通过引入反馈因子对VBATT进行更新，有效简化动力电池SOC估算复杂度并提升其估算精度，能够进一步校准SOC初始值并弥补开路电压带来的开环估计误差。

公开(公告)号：CN116435350A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310411263.0

申请日：2023-04-18

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 任敏 ,  董立航 ,  杨洋 ,  李泽宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  G01R19/00 ,  G01R15/06

Abstract: 本发明涉及一种具有电压采样功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻的浮空场环内引入MOS结构作为电压传感器，浮空环电势的变化控制MOS结构的沟道开启与关断，利用MOS结构源极外接采样电阻，其源极电压变化与IGBT耐压之间存在映射关系，由于MOS结构沟道开启需要一个阈值电压，该阈值电压映射到IGBT集电极电压上为Vst，即当IGBT集电极电压增大到Vst时，Sensor才会开始检测Vce，采样MOS源极电压变化与IGBT集电极之间的映射关系，实现局部电压采样功能，能够有效缓解采样信号动态范围和分辨率之间的矛盾，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。

公开(公告)号：CN118610232A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410819015.4

申请日：2024-06-24

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 李泽宏 ,  郭心如 ,  李岫芸 ,  王彤阳 ,  叶俊 ,  肖璇 ,  桑雨果 ,  刘华瑞 ,  任敏 ,  王亚豪 ,  陈财

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种集成肖特基二极管的超结SGT器件及其制备方法，包括N型衬底、N型外延层、屏蔽栅沟槽、P型掺杂区、源区、体区、欧姆接触区、隔离介质层，以及欧姆接触金属、肖特基接触金属和底层金属；本发明所提出的结构基于超结SGT结构，在超结结构降低比导通电阻、屏蔽栅结构降低栅漏电荷的同时，器件内部集成肖特基结构，肖特基二极管替代原有的寄生PN结二极管进行续流，大幅降低了反向恢复所需抽取的少子电荷，加快了反向恢复的速度、改善了反向过冲，器件的反向恢复特性得到优化。

公开(公告)号：CN116435351A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310411675.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 李泽宏 ,  董立航 ,  杨洋 ,  任敏

IPC: H01L29/739 ,  G01R19/00 ,  G01R15/06 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种带有电压检测功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻位处设置浮空场，在浮空场环内加入氧化物电容介质层形成两个寄生电容C1与C2，其中，C2接地，两个寄生电容为串联关系能够感测来自浮空环中的电势变化，在C1和C2之间引出电压采样电极15对寄生电容C2的电压进行测量，得到电压采样电极Vsensor与IGBT集电极电压Vce之间的对应关系，通过调整两个寄生电容的大小，能够有效控制电压采样比，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性。

公开(公告)号：CN118610231A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410817650.9

申请日：2024-06-24

Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 ,  华润微电子(重庆)有限公司

Inventor： 李泽宏 ,  李岫芸 ,  郭心如 ,  王彤阳 ,  叶俊 ,  肖璇 ,  桑雨果 ,  刘华瑞 ,  任敏 ,  王亚豪 ,  陈财

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有屏蔽栅结构的超结MOS器件及制备方法，包括N+衬底、N‑漂移区、底层金属、顶层金属、P型柱、屏蔽栅沟槽、平面控制栅、N+源区、欧姆接触区、P型体区；本发明提供的具有屏蔽栅结构的超结MOS器件，优化了VDMOS器件整体电场，将原有的一维耗尽调整为二维耗尽，优化导通电阻与击穿电压之间的关系。同时，由于屏蔽栅的电荷耦合作用的存在，使得控制栅输入电荷减小、密勒电容减小。

公开(公告)号：CN110534575B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910831289.4

申请日：2019-09-04

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 任敏 ,  胡玉芳 ,  马怡宁 ,  李泽宏 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。在桥式电路等需要二极管续流的应用场景，本发明提供的VDMOS器件，可利用沟道区作为续流通道，不需要再为VDMOS增加外部的反并联二极管，因此可以减小系统体积。同时利用VDMOS的沟道进行续流，对漂移区没有过剩载流子注入，不存在常规VDMOS的体二极管续流的反向恢复问题，不会带来器件漏电增加和高温特性变差等问题，也不会额外增加器件面积且工艺简单。

公开(公告)号：CN105993076B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201480075122.5

申请日：2014-12-23

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 张金平 ,  李泽宏 ,  刘竞秀 ,  任敏 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种双向MOS型器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在对称的平面栅MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的单位漂移区长度耐压，并具有低的导通压降/电阻特性。

公开(公告)号：CN103383958B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310300668.3

申请日：2013-07-17

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  单亚东 ,  顾鸿鸣 ,  刘竞秀 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区12二者与金属集电极10之间相互绝缘。本发明在具备传统RC-IGBT器件特性的基础上，在正向导通时可以完全消除传统RC-IGBT固有的Snapback现象，并具有与传统RC-IGBT相似的损耗特性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

公开(公告)号：CN103311287B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310076733.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞电子科技大学电子信息工程研究院

Inventor： 李泽宏 ,  陈伟中 ,  刘永 ,  任敏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有系列P浮空埋层的RC-IGBT，属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT基础上，通过增加P浮空层（10）（位于介质埋层（12）上方的N缓冲层（7）中）、介质埋层（12）（位于N集电区（8）和P集电区（9）之间）、系列P浮空埋层（11）（位于部分或全部N缓冲层（7）的表面或内部），正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback现象的作用，反向恢复过程中，控制背部空穴的注入剂量，从而提高RC-IGBT的反向恢复特性。通过仿真验证证明，这种新型的RC-IGBT不但能彻底消除Snpaback现象，同时能够有很大的软度因子（S），避免反向恢复时发生的电压过冲，使得器件的综合性能大大提高。