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公开(公告)号：CN100561742C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710017791.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/84 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1-xO(BexZn1-xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1-yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1-zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si-CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。
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公开(公告)号：CN111613497B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010504428.5
申请日：2020-06-05
Abstract: 本发明公开了一种分光谱响应增强的透射式光电阴极及其制备方法。该透射式光电阴极沿信号光入射方向依次包括：光学选通膜、光学玻璃、光学增透膜、缓冲层、发射层和激活层；所述光学选通膜、所述光学增透膜、所述缓冲层和所述发射层分别分为若干区域，且所述光学选通膜的各区域、所述光学增透膜的各区域、所述缓冲层的各区域和所述发射层的各区域分别一一对应，各所述区域的材料、厚度和层数根据各所述区域响应的波段进行设定。本发明提供的光电阴极能够使各波段均具有较高的量子效率，能够实现宽、窄光谱并行工作，消除宽、窄光谱光电阴极之间的应用界限。
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公开(公告)号：CN113380639A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110579209.8
申请日：2021-05-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/02 , H01L21/324 , B08B7/00
Abstract: 本发明公开了一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法，通过在键合真空腔内设置射频电极和气源，采用移动承载台，在移动承载台上设置有键合承载台，键合承载台上设置有两个对称设置的样品承载台，样品承载台与键合承载台通过移动转台连接，移动转台能够在键合承载台上滑动，样品承载台与移动转台转动连接，样品承载台上端用于固定预键合晶圆，键合真空腔能够在键合真空腔和退火真空腔之间移动，形成相对固定的能够在独立空间内进行低温处理和退火处理的空间，能够实现在低温环境下进行，退火真空腔内的退火加热装置气体沉积原子层来避免不易键合界面的晶格失配，最后经过热退火处理装置对晶圆进行热退火，从而获得高质量的键合界面和键合强度。
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公开(公告)号：CN109378312B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN107104141B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710331449.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378312A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN108677246A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810671214.X
申请日：2018-06-26
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/186 , C30B25/205
Abstract: 本发明公开了一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法，将单晶金刚石衬底I和单晶金刚石衬底II进行拼接，在接缝处生长出桥状连接部分，并继续外延生长得到完整的大面积单晶金刚石层；其中，单晶金刚石衬底I在拼接处的厚度小于单晶金刚石衬底II在拼接处的厚度。解决了金刚石拼接生长过程中拼接缝明显，金刚石容易发生相对移动的问题，从而降低拼接处出现裂纹甚至裂开的风险。
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公开(公告)号：CN107655859A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710797868.2
申请日：2017-09-06
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: G01N21/4788 , G01N21/01 , G02B27/10
Abstract: 本发明公开一种周期材料成像装置及方法，光源部分包括符合光源、凸透镜、扩束器和小孔；探测部分包括第一分光镜、第二分光镜和周期材料固定台；成像部分包括第一探测器、第二探测器和第三探测器；符合光源的出射光路上依次布置有凸透镜、扩束器、小孔、第一分光镜和第二分光镜；第一分光镜的第一出射光光路上依次设有周期材料固定台和第一探测器；周期材料固定台上安装有周期材料；第一分光镜的第二出射光入射到第二分光镜，被第二分光镜分成第二分光镜的第一出射光和第二分光镜的第二出射光；第二分光镜的第一出射光光路上设有第二探测器，第二分光镜的第二出射光光路上设有第三探测器。本发明有效的提高了成像分辨率和对比度。
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公开(公告)号：CN104992975B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510254502.1
申请日：2015-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开一种金刚石功率晶体管及其制备方法，该晶体管包括氢终端金刚石、源电极、漏电极、栅介质和栅电极，该金刚石功率晶体管的源电极和漏电极采用环形结构；所述栅电极带有场板结构。本发明由于采用的是环形结构，可以有效地改善晶体管工作时的电流分布，有效的改善电场集中现象，从而可以明显提高器件的击穿电压。并且因为栅电极采用了场板结构，可以改善栅电极处的电流分布，从而可以进一步提高器件的击穿电压；该结构的金刚石功率晶体管，具有高的耐压能力，能够作用于高压高功率领域。
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公开(公告)号：CN107369705A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710547365.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
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