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公开(公告)号：CN101578688A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001955.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027
Abstract: 一种基板的处理装置，通过处理液来处理基板，其特征在于，具备：纳米气泡产生机构，用于产生纳米气泡，并使该纳米气泡与上述处理液混合；处理液供给机构，向上述基板的板面供给含有该纳米气泡产生机构所产生的纳米气泡的上述处理液；以及加压机构，对通过该处理液供给机构向上述基板的板面供给的处理液中所含有的纳米气泡进行加压，并在上述基板的板面压破所述纳米气泡。
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公开(公告)号：CN101290418A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810093061.1
申请日：2008-04-16
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种不引起装置的大型化和复杂化、而可以使基板的提供位置与搬出位置相同的基板处理装置。该基板处理装置具有：辊式输送机(8)，将基板相对于水平方向直线地进行往返搬送；装载部(2)，配置于辊式输送机的一端侧，且提供未处理的基板；清洗处理部(11)，利用处理液对从装载部提供并由辊式输送机搬送的未处理的基板进行清洗处理；液刀(21)，在将未处理的基板提供给清洗处理部之前，利用处理液将该基板湿润；气刀(22)，在由辊式输送机将在清洗处理部处理的基板返回给装载部侧而搬出时，向该基板喷射气体来进行干燥处理；以及卸载部(3)，配置于辊式输送机的另一端侧，且储存由气刀处理的基板。
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公开(公告)号：CN101114573A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136755.4
申请日：2007-07-27
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/30 , H01L21/306 , H01L21/67 , G02F1/1333 , B08B3/02
Abstract: 本发明提供一种基板的处理装置，防止以规定的角度倾斜搬运的基板从支持背面的支持辊上浮起。一种基板的处理装置，将基板以规定的角度倾斜搬运并用处理液处理，具备：腔(3)；支持辊(14)，设在腔内，并支持基板的倾斜方向下侧的背面；驱动辊(17)，将由支持辊支持背面的基板的下端，利用外周面支持并旋转驱动，由此在规定方向上搬运基板；喷嘴体(62)，向基板的倾斜方向上侧的前面喷射处理液；及流体回流防止部件(65)，设置在与被搬运的基板的背面对置的腔的后壁内表面，防止从喷嘴体喷射后冲撞腔的壁内表面而反射的处理液与基板的背面接触。
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公开(公告)号：CN1912697A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610101932.0
申请日：2006-07-11
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , H01L21/00
Abstract: 本发明的旋转处理装置，具备：回转工作台，设于外杯状体内，在上表面保持基板的状态下被控制马达回转驱动；内杯状体，设于外杯状体内，被设置为在上端比回转工作台的上表面低的下降位置和上端比保持在回转工作台上的上述基板高的上升位置之间，可被上下驱动机构上下驱动；第1反射板，设于外杯状体的内周部，在内杯状体处于下降位置的状态下使基板回转并用第2处理液进行处理时，使从基板的周边部分飞散的第2处理液向下方反射；以及第2反射板，设置在内杯状体的内周部，在内杯状体处于上升位置的状态下使基板回转并用第1处理液进行处理时，使从基板的周边部分飞散的第1处理液向下方反射。
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公开(公告)号：CN1814523A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510121666.3
申请日：2005-12-22
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使加长弯曲量也小的、用于传送基板的传送用轴。本发明的传送用轴，用于传送利用处理液进行处理的基板，该传送用轴包括：轴部(12)，具有由碳纤维形成的芯部件(13)和由对上述处理液有抗腐蚀性的合成树脂形成、包覆芯部件的外周面的外皮部件(14)；以及支承辊(6)，以预定间隔设置在该轴部的轴方向上，支承上述基板。
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公开(公告)号：CN1748878A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510102881.9
申请日：2005-09-14
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: B08B3/10
Abstract: 本发明提供一种能用被加热到规定的温度的剥离液均匀地加热被倾斜输送的基板进行处理的基板的处理装置。这是一种利用加热至规定温度的处理液对被输送基板的表面进行处理的基板的处理装置，包括：以规定的角度使表面呈倾斜方向上侧而倾斜地输送基板的输送单元(1)；将处理液供给至由输送单元输送的基板的成为倾斜方向上侧表面的表面用喷嘴(14)；和将上述处理液供给至由输送单元输送的基板的成为倾斜方向下侧的背面的分支管(16)。
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公开(公告)号：CN1705097A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074898.8
申请日：2005-06-03
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种在使基板倾斜后在处理腔室进行处理时，可有效地进行基板对处理腔室的移交的基板输送装置，具有：将以水平状态送来的基板倾斜到设定的倾斜角度后，移交到处理腔室(6)的搬入移交部(3)；接受在搬入移交部倾斜到设定角度的所述基板后，以该倾斜角度在所述处理部内输送的倾斜输送部(4)；和从倾斜输送部接受以设定的倾斜角度在所述处理部腔室内输送的处理过的基板后，恢复到水平状态的搬出移交部(5)，搬入移交部和搬出移交部的至少一方，由在沿基板的输送方向依次并列设置并可分别设定基板的倾斜角度而且按照长度尺寸以比基板的沿输送方向的长度尺寸短而设定的第一、第二搬入或者搬出输送机(31－34)组成。
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公开(公告)号：CN119725186A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411338166.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种晶片收纳容器处理装置，有效率地进行收纳空间内的气体的置换。实施方式的晶片收纳容器处理装置对晶片收纳容器进行处理，所述晶片收纳容器具有：主体，具有收纳半导体晶片且与开口部连通的收纳空间；以及门，相对于所述开口部能够装卸，所述晶片收纳容器处理装置包括：载置台，具有：载置所述晶片收纳容器的载置面；以及气体供给部，对载置于所述载置台的所述晶片收纳容器进行惰性气体的供给，其中，所述载置台以在装设有所述门及所述主体的状态下所述门载置于所述载置面的方式，而载置所述晶片收纳容器，所述气体供给部进行如下处理：经由所述主体的与具有所述开口部的面交叉的交叉面上所设置的气体供给口，而供给所述惰性气体。
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公开(公告)号：CN111566428A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880080915.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 实施方式所涉及的有机膜形成装置具备：腔，可维持比大气压更被减压的环境；至少1个处理室，设置在所述腔的内部且被罩围住；及排气部，可对所述腔的内部进行排气。所述处理室中设置有：上部加热部，具有至少1个第1加热器；下部加热部，具有至少1个第2加热器且与所述上部加热部对峙；及工件支撑部，在所述上部加热部与所述下部加热部之间，可支撑具有基板和涂布于所述基板的上面的含有有机材料、溶剂的溶液的工件。所述处理室具有连通于所述腔的空间。所述排气部对所述腔的内部的压力进行减压，同时对所述腔的内壁与所述罩之间的空间的压力进行减压。
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公开(公告)号：CN106340473A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610525373.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 本发明提供能够以短时间形成均匀地喷出处理液的状态的水刀、基板处理装置及基板处理方法。实施方式所涉及的水刀(11)具有：贮存部(11T)，贮存处理液；喷出部(11S)，形成为沿着贮存部(11T)的长度方向延伸的狭缝状，与贮存部(11T)连接并喷出处理液；处理液供给路径(11P)，对贮存部(11T)供给处理液；及吸引路径(11V)，吸引存在于贮存部(11T)的气体。从处理液供给路径(11P)向贮存部(11T)供给处理液的同时，对贮存部(11T)施加吸引力，该吸引力是外部气体不会从喷出部(11S)被吸引到贮存部(11T)内的吸引力。
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