公开(公告)号：CN119698225A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411765600.7

申请日：2024-12-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎淸宁 ,  袁昌来 ,  程帅 ,  许积文 ,  饶光辉

IPC: H10N30/097 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  H10N30/853 ,  H10N30/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种一体化非对称三明治结构无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明制备的一体化非对称三明治结构无铅压电陶瓷材料为1‑3复合、0‑3复合及2‑2层状复合的多种复合结构非对称三明治结构，这种复合结构同时产生界面扩散梯度组成与梯度结构，有效提高力学性能和压电性能及温度稳定性。产品经实验测量，同时具有非常优异的断裂韧性，压电性能及宽温区稳定性，断裂韧性KIC＝4.1MPa·m1/2，压电常数d33＝206pC/N，在25‑262℃的温度范围内△d33/d33低于10％，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产，从而解决了现有的陶瓷材料力学性能和压电性能不能兼顾，温度稳定性较差的问题。

公开(公告)号：CN119505900A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411659992.9

申请日：2024-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 于宏宝 ,  耿雪莹 ,  于红艳 ,  程帅 ,  陆绍宁 ,  韩缙 ,  赵景泰 ,  饶光辉 ,  赵晓芳

IPC: C09K11/67

Abstract: 本发明提供了一种基于镨掺杂铌酸钠‑钛酸钡应力发光材料，该材料由荧光粉和高分子材料组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.991‑xBaxPr0.003Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.005≤x≤0.02。其制备方法为：1)将Na2CO3、BaCO3，Pr6O11、TiO2、Nb2O5按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与聚醚胺混匀，得到高分子材料；3)往模具中依次倒入配方量的荧光粉和高分子材料，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。

公开(公告)号：CN119430915A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411646776.0

申请日：2024-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎淸宁 ,  袁昌来 ,  程帅 ,  许积文 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/80

Abstract: 本发明涉及无铅压电陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有汉堡结构的无铅压电陶瓷及其制备方法，包括下层、中层和上层，上层和下层的组成是1‑3复合型0.82(Bi0.5Na0.5)0.85Ba0.15TiO3/0.28CBN纤维，中层为(Bi0.5Na0.5)0.93Ba0.07TiO3陶瓷；结合外加陶瓷块施加重力辅助烧结制备，形成0‑3复合及2‑2层状复合的汉堡结构，同时产生界面扩散梯度组成与梯度结构。产品经实验测量，同时具有非常优异的功能特性、热稳定性和力学性能，压电常数可达d33＝220pC/N，退极化温度Td＝275℃，维氏硬度HV＝9.85GPa，断裂韧性KIC＝4.5MPa·m1/2，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN104703196B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510100705.5

申请日：2015-03-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王勇超 ,  陈冉 ,  程帅

IPC: H04W16/28

Abstract: 本发明公开一种基于局部搜索的鲁棒波束形成方法，具体步骤包括：(1)设置天线阵列阵元位置；(2)接收信号；(3)估计数据协方差矩阵；(4)获得接收信号的期望导向矢量；(5)估计接收信号的方向角；(6)获得接收信号的自适应权矢量；(7)计算接收信号的方向图。本发明对于等间距排列的线性阵列接收系统，用一种局部搜索方法估计出期望信号的波达方向，从而得到这个估计方向所对应的导向矢量，再以该导向矢量作为最差情况下性能最优算法的参考导向矢量，从而达到更好的输出信号干扰噪声比。本发明可以解决较大的导向矢量失配误差对接收系统性能的影响，提高系统对抗干扰误差的能力。

公开(公告)号：CN119390439A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411551338.6

申请日：2024-11-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 程帅 ,  方娟 ,  毛素文 ,  马垒 ,  于宏宝 ,  韩缙 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/853 ,  H10N30/092

Abstract: 本发明提供了一种具有异质结构的铁酸铋‑钛酸钡压电陶瓷及其制备方法，该陶瓷由A层、B层和A层依次叠层压制而成；所述A层的结构通式：BaTi(1‑x)SnxO3；所述B层的结构通式:0.75BiFeO3‑0.25BaTiO3‑y％MnO2；0＜x≤0.16，且0＜y≤1。其制备方法为：将A层原料、B层原料按照A、B、A依次叠层压制成片，得到素片，然后将素片排胶、电镀、极化制得。本发明的压电陶瓷同时兼具压电性能和热稳定性。

公开(公告)号：CN115229144A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210935793.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  朱伟豪 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  程帅 ,  赵景泰

IPC: B22D11/06 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  H01F1/01 ,  H01F1/147 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。

公开(公告)号：CN110937886A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911336343.4

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  韩飞 ,  刘笑 ,  刘飞 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。

公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN117534961A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311234850.3

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海大学 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 李乾利 ,  陈靖坤 ,  程帅 ,  张泽青 ,  陈家璇 ,  郝书童 ,  李育成 ,  黎乃鑫 ,  徐明辉 ,  杨雪纯 ,  赵景泰

IPC: C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08K9/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/08 ,  G21K4/00 ,  B01F21/10 ,  B01J19/00 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明提供了一种ZnO：Sc微米晶及其聚合物闪烁屏的制备方法和应用，属于辐射探测与成像技术领域技术领域，它解决了现有技术中制备闪烁屏的过程复杂、成本高昂、制备周期长等技术问题。本发明利用水热反应法制备ZnO：Sc微米晶，通过添加聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)控制ZnO：Sc形态，首次制备出呈双层饼状的ZnO：Sc微米晶，然后将制备的微米晶与PDMS或RTV复合制备成ZnO：Sc大尺寸聚合物柔性闪烁屏，或者与EP复合成超厚硬性闪烁屏，不仅可降低ZnO：Sc自身的自吸收问题提高发光效率，而且可以制备成任意形状与尺寸。ZnO：Sc聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及制备出大尺寸和超厚的闪烁转换屏的优势。

公开(公告)号：CN117474274A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311532014.3

申请日：2023-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王玉林 ,  王丽杰 ,  程帅 ,  罗瑜 ,  伍瑞卿

IPC: G06Q10/0631 ,  G06F16/22 ,  G06F16/2455 ,  G06F16/242 ,  G06F16/25

Abstract: 本发明公开了一种无人机团队协同工作流节点服务的动态发现方法与系统，涉及无人机团队协同技术领域。在本发明方法中，无人机团队协作任务由无人机内的工作流执行引擎按照协同任务工作流规定的方式执行和完成，协同任务工作流中各流程节点未包含完成该流程节点子任务所对应服务API调用相关信息，但包含有该子任务的名称和功能描述，通过将该子任务名称和功能描述文本向量化和局部敏感哈希，然后将哈希得到的标量在服务API的B+树索引中检索得到离该哈希标量最近的无人机服务API调用信息，从而实现了协同工作流程节点服务的动态发现。本发明在不需要手动配置工作流程节点服务的条件下，实现了在无人机团队成员随意组合和变化的情况下协同任务工作流的可靠执行，增强了无人机团队组合的灵活性，减少了团队协同过程中的人工干预，提高了团队协同任务的执行效率和可靠性。