晶片支撑及校准设备
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107464772B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201710699405.2

    申请日:2014-03-11

    Abstract: 本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片的多个晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上),防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。

    用于半导体处理的掩膜对准系统

    公开(公告)号:CN104969340A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201380072416.8

    申请日:2013-12-11

    CPC classification number: H01L21/266 H01L21/682

    Abstract: 一种用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准的掩模对准系统。所述系统包含掩模框架,掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔,且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销,多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上,其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐,进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。

    处理工件的方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107710423B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201680038035.1

    申请日:2016-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种处理工件的方法及处理工件的装置。所述处理工件的方法,包括在工件已被植入硼之后对所述工件执行短的热处理。此短的热处理可在将工件放置于载具中之前执行。所述短的热处理可使用激光、加热灯或发光二极管来执行。在一些实施例中,加热源安置于装卸室中,且在工件经过处理之后被致动。在其他实施例中,所述加热源安置于输送带上方,所述输送带用以将经处理的工件自装卸室移动至装载/卸载站。

    晶片支撑及校准设备
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105009271B

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201480014139.X

    申请日:2014-03-11

    Abstract: 本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片的晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上),防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。

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