-
公开(公告)号：CN112534562A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051802.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统。为降低气体管的整体温度，在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔室及气体管进行流体连通的内通道，以容许馈入气体流向离子源腔室。气体衬套可具有对称的形状，从而容许其被翻转以延长其使用寿命。在一些实施例中，气体管可与散热器连通以保持气体管的温度。
-
公开(公告)号：CN103069537B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201180040721.X
申请日：2011-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/024 , H01J2237/081 , H01J2237/0827
Abstract: 一种装置，包括电弧室外壳(203)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。
-
公开(公告)号：CN104737267B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380054224.4
申请日：2013-09-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 揭示一种射频天线与其形成方法以及离子源。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。
-
公开(公告)号：CN101939823B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980104352.9
申请日：2009-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 阿多夫·R·多利 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
-
公开(公告)号：CN101939823A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104352.9
申请日：2009-02-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼 , 阿多夫·R·多利 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101578681A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001770.0
申请日：2008-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 , 奎格·R·钱尼 , 艾利克·R·科步 , 约瑟·C·欧尔森 , 奎斯·坎贝儿
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , F17C9/02
CPC classification number: H01J27/02 , C23C14/246 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
Abstract: 揭示一种提供离子源供料材料的技术。在一特定实施例中，此技术可实现为供应离子源供料材料的容器。容器可包括内腔，其预填充有离子源供料材料。容器还可包括外主体，其配置为可载入对应的外罩内并可由外罩内移除，外罩经由喷嘴总成耦接至离子源室。容器还可包括出口，以密封预填充的离子源供料材料，出口还配置为与喷嘴总成啮合以在内腔与离子源室之间建立引流路径。容器可配置为抛弃式构件。
-
公开(公告)号：CN111699541A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012729.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16
Abstract: 本公开阐述一种用于判断半导体制造系统中的组件是否被授权在此系统中使用的方法及装置。通过在组件中嵌入识别特征，控制器可判断此组件是否有资格在系统中使用。在检测到未授权的组件时，系统可向用户报警、或者在某些实施例中，停止操作系统。这种识别特征利用增材制造工艺嵌入到组件中，所述增材制造工艺允许识别特征嵌入到组件中而不使识别特征经受极端温度。
-
公开(公告)号：CN108475606B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201680079582.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置。间接加热式阴极(IHC)离子源包括具有位于相对的两个端部上的阴极及斥拒极的离子源室。离子源室由具有非常低的导电率的陶瓷材料构造而成。导电衬垫可被插入至离子源室中且可覆盖离子源室的三个侧。衬垫可电连接至含有提取孔的面板。阴极与斥拒极的电连接穿过陶瓷材料中的孔。这样一来，由于不存在起弧的风险，因此，孔可尽可能地被制作成比原本小。在某些实施例中，电连接被模制至离子源室中或被压配合于孔中。此外，用于离子源室的陶瓷材料更耐用且向所提取离子束引入的污染物更少。
-
公开(公告)号：CN104838199A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063598.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼
IPC: F17C13/12
CPC classification number: F17C13/123 , C23C16/455 , C23C16/45561 , F17C13/12 , H05F3/00 , Y02E60/321 , Y02E60/34 , Y10T137/8376
Abstract: 本揭示的技术是用于降低气体传输系统中的帕邢事件的效应。被动隔离组件可用于将气体由低电位环境跨接传输至高电位环境。被动隔离组件可包含非导电轴向孔传输绝缘体。不规则形状的非导电隔离循迹绝缘体可直接接触并包围传输绝缘体。被动隔离组件可包含位于大地电位的导电性的前端封盖与位于高电位的导电性的后端封盖。导电性的前端封盖有开孔适于与来源气体传输管线耦接。导电性的后端封盖有开孔适于与目标气体传输管线耦接。
-
公开(公告)号：CN102232241B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980148112.9
申请日：2009-12-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 具本雄 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 奎格·R·钱尼 , 法兰克·辛克莱 , 奈尔·J·巴森
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/24514
Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。另一实施例中，使用多样的气体，其中一或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一或多个额外气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外等离子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.024 seconds)
