公开(公告)号：CN105765751B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201480064741.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  本多淳史 ,  秋山守人 ,  西久保桂子 ,  长濑智美

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。

公开(公告)号：CN105765751A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064741.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  本多淳史 ,  秋山守人 ,  西久保桂子 ,  长濑智美

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。

公开(公告)号：CN101322258B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200480002472.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋山守人 ,  上野直广 ,  立山博 ,  桑野范之

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/316

Abstract: 本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和/或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在55％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和/或氧化锌构成。具有晶体结构的氮化铝或氧化锌由于其晶体结构不存在对称性，故原来就具备压电性，并且像铁电体那样不存在居里温度，即使在高温下也不产生磁位错，故直至晶体熔解或升华，都不会失去压电性。

公开(公告)号：CN101322258A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480002472.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 秋山守人 ,  上野直广 ,  立山博 ,  桑野范之

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/316

Abstract: 本发明在石英玻璃基板或不锈钢基板上形成下部电极。在下部电极上用溅射法通过制作薄膜状氮化铝和/或氧化锌，形成压电体薄膜，使其偶极子取向度在55％以上。然后，在压电体薄膜上形成上部电极。压电元件的压电层由氮化铝和/或氧化锌构成。具有晶体结构的氮化铝或氧化锌由于其晶体结构不存在对称性，故原来就具备压电性，并且像铁电体那样不存在居里温度，即使在高温下也不产生磁位错，故直至晶体熔解或升华，都不会失去压电性。

公开(公告)号：CN105229810B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201480026406.5

申请日：2014-05-22

Applicant: 株式会社电装 ,  独立行政法人 ,  产业技术综合研究所

Inventor： 勅使河原明彦 ,  加纳一彦 ,  秋山守人 ,  西久保桂子

IPC: H01L41/316 ,  C23C14/06 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/18 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316

Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。