公开(公告)号：CN106489203B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201580035522.8

申请日：2015-05-25

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 模块(1)具备：绝缘基板(15)、功率半导体装置(13HT)、功率半导体装置(13LT)、桥式端子(14B)、高侧端子(14H)、低侧端子(14L)。桥式端子在功率半导体装置(13HT)、(13LT)之间从表面配线导体(12B)延伸。高侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从高侧背面配线导体(17H)延伸。低侧端子在功率半导体装置(13HT、13LT)之间从低侧背面配线导体(17L)延伸。功率半导体装置(13HT)的表面电极及功率半导体装置(13LT)的背面电极与表面配线导体(12B)连接。

公开(公告)号：CN107155372A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201480083659.6

申请日：2014-11-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H02M3/155 ,  H02M7/04 ,  H02M7/48

Abstract: 半桥功率半导体模块1具有绝缘配线基板15，绝缘配线基板15包括在一张绝缘板16之上或其上方相互电绝缘地配置的正极配线导体12H、桥接配线导体12B及负极配线导体21L。在正极配线导体12H及桥接配线导体12B之上接合有高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的背面电极。高侧功率半导体装置13HT及低侧功率半导体装置13LT的表面电极经由多个接合线18BT及多个接合线18LT与桥接配线导体12B及负极配线导体21L连接。

公开(公告)号：CN103620962B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280022689.7

申请日：2012-05-11

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 图子佑辅 ,  村上善则 ,  谷本智 ,  佐藤伸二 ,  松井康平

IPC: H03K17/16 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H03K17/687 ,  H03K17/695

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0682 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/19105 ,  H02M1/08 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/166 ,  H01L2924/00014

Abstract: 开关电路包括：第1开关元件(Q1)；在该开关元件的控制电极(G)和对该开关元件进行开关控制的控制电路(13)之间插入的电阻(11)；以及在第1开关元件(Q1)的控制电极G和第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)之间所连接的第1电容器(15)和第2开关元件(14)。第2开关元件(14)的高电位侧电极连接到第1开关元件(Q1)的控制电极G，第2开关元件(14)的低电位侧电极连接到第1电容器(15)的一个电极，第1电容器(15)的另一个电极连接到第1开关元件(Q1)的低电位侧电极(S)，第2开关元件(14)的控制电极连接到电阻(11)的与控制电路(13)连接一侧的电极。

公开(公告)号：CN103782380A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280039872.8

申请日：2012-08-24

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  村上善则 ,  谷本智 ,  佐藤伸二 ,  松井康平

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体模块，其具有：一对半导体元件（16，18），它们具有与第1电力系统（BT）电气连接的第1端子（12，14）、和与第2电力系统（M）电气连接的第2端子（13），彼此串联连接；散热器（7）；第1电极（10），其分别与所述第1端子的一个第1端子（12）、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件（16）的一个电极电气连接；输出电极（11），其分别与所述第2端子（13）、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件（18）的一个电极电气连接；以及第2电极（9），其与所述第1端子的另一个第1端子（14）电气连接，所述第2电极（9）经由第1绝缘部件（8a）与所述散热器（7）连接，所述输出电极（11）经由第2绝缘部件（8b）与所述第2电极（9）连接。

公开(公告)号：CN101981702A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980110742.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智 ,  桐谷范彦 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  德田规夫 ,  加藤宙光 ,  大串秀世 ,  山崎聪

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/872

Abstract: 在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。

公开(公告)号：CN101981702B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN200980110742.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智 ,  桐谷范彦 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  德田规夫 ,  加藤宙光 ,  大串秀世 ,  山崎聪

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/872

Abstract: 在该接合元件(1)中，通过在半导体层(2)内形成耗尽层，在正向施加电压时，存在于电极层(4)的电子无法移动到半导体层(2)。因此，半导体层(3)的大多数空穴不会与半导体层(2)内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层(2)并且到达电极层(4)。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者其以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使是如硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。

公开(公告)号：CN1979888A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610140399.9

申请日：2006-12-08

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置包括：1)碳化硅衬底；2)硅化物电极，通过以引起固相反应的方式将接触母体材料沉积在该碳化硅衬底上而形成该硅化物电极，该硅化物电极是低碳含量硅化物电极，包括：i)硅，以及ii)摩尔数小于硅的碳；以及3)沉积在该硅化物电极上的上部导体膜。

公开(公告)号：CN103782380B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201280039872.8

申请日：2012-08-24

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  村上善则 ,  谷本智 ,  佐藤伸二 ,  松井康平

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体模块，其具有：一对半导体元件（16，18），它们具有与第1电力系统（BT）电气连接的第1端子（12，14）、和与第2电力系统（M）电气连接的第2端子（13），彼此串联连接；散热器（7）；第1电极（10），其分别与所述第1端子的一个第1端子（12）、和所述一对半导体元件中的一个半导体元件（16）的一个电极电气连接；输出电极（11），其分别与所述第2端子（13）、和所述一对半导体元件中的另一个半导体元件（18）的一个电极电气连接；以及第2电极（9），其与所述第1端子的另一个第1端子（14）电气连接，所述第2电极（9）经由第1绝缘部件（8a）与所述散热器（7）连接，所述输出电极（11）经由第2绝缘部件（8b）与所述第2电极（9）连接。

公开(公告)号：CN104798185B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 ,  佐藤伸二 ,  谷泽秀和 ,  松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。

公开(公告)号：CN104867969B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510175983.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 谷本智 ,  桐谷范彦 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  德田规夫 ,  加藤宙光 ,  大串秀世 ,  山崎聪

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/872

Abstract: 在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。