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公开(公告)号：CN114106704A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111540483.0
申请日：2021-12-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种绿色环保型钛金属抛光液，该钛抛光液包括磨料、氧化剂、碱性氧化物、表面活性剂、络合剂和缓蚀剂，所述缓蚀剂为烟酸，所述表面活性剂为不含钠离子的有机表面活性剂。本发明配方中并未引入新的外来的钠离子，可以应用与半导体领域抛光中，减少了金属离子数。通过引入少量的烟酸就可以得到良好的钛表面，烟酸的浓度在0.05wt％的时候即可得到优良的表面质量，同时具有较好的去除速率。
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公开(公告)号：CN110484380A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863465.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种碱性抛光后低k介质清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂其组成包括非离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的1％-4％；清洗剂的pH值为9-10。所述的非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚非离子活性剂O-20、AEO-9或AEO-15，pH调节剂为氨水或四乙基氢氧化铵。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。
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公开(公告)号：CN106118491B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610541674.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计所述碱性抛光液的pH值为7.5—10.5；通过将非离子界表面活性剂、多羟多胺螯合剂和硅溶胶依次于去离子水中逐级混合方式获得；所述碱性抛光液，对设备无腐蚀，稳定性好易清洗，弱碱性环境下易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面，有效减低环境污染。
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公开(公告)号：CN104451691A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410686163.X
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN102039283B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010232559.9
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种Ti阻挡层材料化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低Ti阻挡层材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高Ti阻挡层表面质量的方法。配制水溶性表面洁净液：取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂和FA/O II型螯合剂，搅拌均匀后得pH值为6.5-7.5水溶性表面洁净液；使用洁净液迅速对Ti阻挡层材料采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01大气压的低压力条件下进行抛光清洗；使用稀释后的阻蚀剂溶液迅速对Ti阻挡层材料进行零压力抛光清洗，流量为1000-5000ml/min；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下冲洗Ti阻挡层材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101391192A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810152433.3
申请日：2008-10-22
Applicant: 河北工业大学
IPC: B01F17/42
Abstract: 本发明烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂及其制备方法，涉及用作增溶剂、润湿剂、乳化剂和起泡剂的醚类物质表面活性剂，该表面活性剂具有结构式Ⅰ，式中EO为氧乙烯基团(－CH2CH2O－)，其加成摩尔数m为4、7、10、15、20或30；n为8、9、10、12、14或16；制备步骤如下：第一步，2，6－二羟甲基－4－烷基苯酚的合成；第二步，中间体2－[3－(5－烷基水杨基)－5－烷基水杨基]－4－烷基苯酚的合成；第三步，产物烷基酚聚氧乙烯醚三聚表面活性剂的合成；由于在产品制备中采用的催化剂是固体，提高了产品的质量，同时又克服了含有酸性的水蒸汽对设备腐蚀的问题，免除了后续大量的废水处理，降低了产品的生产成本，又有效地克服了环境污染的问题。
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公开(公告)号：CN117304813A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311256351.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , B24B57/00 , H01L21/306 , H01L21/762
Abstract: 本发明为去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液，用于pH＝2‑6的酸性条件下的STI CMP中，所述抛光液按质量百分比计量包含如下：CeO2磨料：0.1wt％‑5wt％；氨基酸：0.1wt％‑4wt％；多元醇：0.5wt％‑6wt％；聚乙烯醇：0.01wt％‑1wt％；pH调节剂；余量为去离子水；所述聚乙烯醇的分子量为1万‑10万；所述氨基酸为：甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、脯氨酸、吡啶甲酸、烟酸或它们衍生物中的一种或几种；所述多元醇为：D‑山梨糖醇、甘露糖醇、乳糖醇、麦芽糖醇、麦芽三糖醇、木糖醇、卫矛醇、或它们衍生物中的一种或几种。抛光液在高去除速率选择比的基础上，能够在112个月内保证抛光速率的稳定。
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公开(公告)号：CN104526539A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410776195.9
申请日：2014-12-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B57/02
CPC classification number: B24B37/044 , B24B37/005 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及一种陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用抛光液，第二步选用去离子水的水抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；所述第二步的抛光工艺条件为流量300g-500g/min、温度20-30℃、抛光压力0-2psi；抛光液组分，包括磨料粒径15-60nm、浓度≥40％、硬度≤7Mohs的SiO2 2-50％，活性剂0.5-1.0％，螯合剂0.5-1.0％，pH调节剂0.5-2％。有益效果：选用两步抛光法，在同一台抛光机上第一步抛光可实现高去除，第二步水抛可实现低粗糙的表面控制要求。减小了材料损伤层，有效提高其表面的光洁度。
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公开(公告)号：CN104451690A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410685583.6
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于低下压力的铜化学机械精抛光液。本发明所述抛光液中包含研磨颗粒、络合剂、氧化剂，表面活性剂、抑菌剂和水，抑菌剂的含量为重量百分比0.001～1％；研磨颗粒含量为重量百分比3～15％；络合剂的含量为重量百分比1～5％；表面活性剂的含量为重量百分比0.01～1％；过氧化氢的含量为重量百分比0.5～3％；用水补足含量至重量百分比100％。本发明抛光液适用于下压力不大于5.516kPa时铜的精抛光，不包含腐蚀抑制剂。
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公开(公告)号：CN104449398A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410682284.7
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。
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