公开(公告)号：CN111968969A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010176255.9

申请日：2020-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  姜泌圭 ,  佐佐木雄一朗 ,  林圣根 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  金国桓 ,  吴承河

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极/漏极区；第一导电插塞，位于所述源极/漏极区上并电连接到所述源极/漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。

公开(公告)号：CN111326443A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910774444.3

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  朴判贵 ,  李真雅 ,  李昌润 ,  林圣根 ,  崔敏浩 ,  崔殷硕

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。

公开(公告)号：CN117410315A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310314967.6

申请日：2023-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  曺裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括多个竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第一半导体图案和第二半导体图案是半导体图案中的两个相邻半导体图案；以及栅极绝缘层，置于栅电极的第一部分与第一半导体图案和第二半导体图案之间。第二半导体图案位于比第一半导体图案高的层处。第一半导体图案包括具有第一深度的第一沟道凹部，并且第二半导体图案包括具有小于第一深度的第二深度的第二沟道凹部。

公开(公告)号：CN112242404A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010359712.8

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承河 ,  姜泌圭 ,  金国桓 ,  金元洪 ,  佐佐木雄一朗 ,  李相遇 ,  林圣根 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN120050996A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202411105441.8

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林圣根 ,  金东宇 ,  金孝珍 ,  朴判贵 ,  曹荣大

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，提供有设置在衬底的第一表面处的鳍型有源区；多个纳米片，设置在鳍型有源区的顶表面上并与鳍型有源区的顶表面分离；设置在鳍型有源区上的栅极线，栅极线围绕所述多个纳米片中的每个；设置在鳍型有源区上的源极/漏极区，源极/漏极区的侧壁与栅极线相邻并与所述多个纳米片接触；背面接触，从衬底的第二表面朝向源极/漏极区的下部延伸；以及高浓度掺杂层，设置在源极/漏极区的下部。高浓度掺杂层具有比源极/漏极区的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN117238919A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310568902.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  边晓训 ,  李南玹 ,  林圣根 ,  曺裕英

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。