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公开(公告)号：CN1869284A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610031477.1
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: C23F1/00 , C23F1/24 , H01L21/302
Abstract: 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。
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公开(公告)号：CN104701386B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510072875.7
申请日：2015-02-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/225
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。
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公开(公告)号：CN105355552A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510737934.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。
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公开(公告)号：CN103227112B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310122757.3
申请日：2013-04-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法，该制备方法包括以下步骤：准备N-型衬底，对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理，形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理，形成P基区。进行N+预沉积处理形成N+层，进行门极刻蚀处理，刻蚀掉门极位置上方的N+层。对N+层进行N+推进处理，形成二层台阶结构的门阴极结。进行金属沉积和刻蚀处理，分别形成阴极金属电极和门极金属电极。本发明晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强了晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
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公开(公告)号：CN103227112A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310122757.3
申请日：2013-04-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法，该制备方法包括以下步骤：准备N-型衬底，对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理，形成P+短基区。对N-型衬底正面进行P扩散处理，形成P基区。进行N+预沉积处理形成N+层，进行门极刻蚀处理，刻蚀掉门极位置上方的N+层。对N+层进行N+推进处理，形成二层台阶结构的门阴极结。进行金属沉积和刻蚀处理，分别形成阴极金属电极和门极金属电极。本发明晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强了晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101404273B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
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公开(公告)号：CN101144845B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710036058.1
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 芯片门阴极间PN结阴断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。
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公开(公告)号：CN101673761A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号：CN101145510A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN101144845A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710036058.1
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 芯片门阴极间PN结阻断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。
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