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公开(公告)号：CN110784098B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201910694523.3
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种电力转换器，控制电路具有对控制电流进行限制以调节第一开关元件和第二开关元件中每一个的开关速度的速度调节电阻。速度调节电阻具有根据第一开关元件和第二开关元件中每一个的控制电极处的电压而变化的阻抗。反馈路径连接在第一开关元件的控制电极与第二开关元件的控制电极之间。反馈路径具有在第一开关元件和第二开关元件中每一个的预定米勒周期期间被设定为低于速度调节电阻的阻抗的值的阻抗。
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公开(公告)号：CN104364907B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201380028289.1
申请日：2013-05-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0839 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66325 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。
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公开(公告)号：CN104157648B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410381254.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN102332470B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110197338.7
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述衬底上的多个第一和第二导电类型区域(20，30)，以用于提供超结结构；位于所述超结结构上的沟道层(40)；所述沟道层中的第一导电类型层(51)；所述沟道层中的接触第二导电类型区域(52)；经由栅极绝缘膜(62)位于所述沟道层(40)上的栅极电极(63)；所述沟道层上的表面电极(70)；位于与所述超结结构相对的所述衬底上的背侧电极(90)；以及掩埋第二导电类型区域(53)。所述掩埋第二导电类型区域设置在相应的第二导电类型区域中，突出至所述沟道层中并且与所述接触第二导电类型区域接触。所述掩埋第二导电类型区域的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度，并且在所述相应的第二导电类型区域中的位置处具有最大杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102347356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02M7/5387
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102332470A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110197338.7
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述衬底上的多个第一和第二导电类型区域(20，30)，以用于提供超结结构；位于所述超结结构上的沟道层(40)；所述沟道层中的第一导电类型层(51)；所述沟道层中的接触第二导电类型区域(52)；经由栅极绝缘膜(62)位于所述沟道层(40)上的栅极电极(63)；所述沟道层上的表面电极(70)；位于与所述超结结构相对的所述衬底上的背侧电极(90)；以及掩埋第二导电类型区域(53)。所述掩埋第二导电类型区域设置在相应的第二导电类型区域中，突出至所述沟道层中并且与所述接触第二导电类型区域接触。所述掩埋第二导电类型区域的杂质浓度高于所述沟道层的杂质浓度，并且在所述相应的第二导电类型区域中的位置处具有最大杂质浓度。
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公开(公告)号：CN115280513A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180019769.6
申请日：2021-03-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在共同的半导体基板(10)上形成有具有IGBT元件的IGBT区域(1a)与具有FWD元件的FWD区域(1b)的半导体装置中，在IGBT区域(1a)形成从半导体基板(10)的一面(10a)露出、且相比于接触区域(18a)为低杂质浓度的第二导电型的载流子抑制区域(19)。而且，将第一电极(21)与载流子抑制区域19肖特基接合。
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公开(公告)号：CN109964317B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780065823.4
申请日：2017-10-19
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN110784098A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910694523.3
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种电力转换器，控制电路具有对控制电流进行限制以调节第一开关元件和第二开关元件中每一个的开关速度的速度调节电阻。速度调节电阻具有根据第一开关元件和第二开关元件中每一个的控制电极处的电压而变化的阻抗。反馈路径连接在第一开关元件的控制电极与第二开关元件的控制电极之间。反馈路径具有在第一开关元件和第二开关元件中每一个的预定米勒周期期间被设定为低于速度调节电阻的阻抗的值的阻抗。
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公开(公告)号：CN109891597A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780067304.1
申请日：2017-11-09
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 住友正清
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 半导体装置，在第1沟槽(13a)上隔着第1栅极绝缘膜(14a)配置有第1栅极电极(15a)，并且在第2沟槽(13b)上隔着第2栅极绝缘膜(14b)配置有第2栅极电极(15b)，第1栅极电极(15a)被施加栅极电压，第2栅极电极(15b)与第1电极(19)电连接。并且，将第2栅极绝缘膜(14b)之中在第2沟槽(13b)的侧面的与漂移层(11)相接的区域上形成的所有部分的每单位面积的第2电容，设为第1栅极绝缘膜(14a)之中在第1沟槽(13a)的侧面的与基极层(12)相接的区域上形成的部分的每单位面积的第1电容以下，并且使至少一部分的第2电容比第1电容小。
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