公开(公告)号：CN111683896B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201880088213.0

申请日：2018-08-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  大川忠行 ,  加本拓 ,  后藤雄一 ,  井上义久 ,  岸武彦

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/24 ,  B81C3/00 ,  H10N30/87 ,  H10N30/88 ,  H10N30/20 ,  H10N30/40 ,  H10N30/853

Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。

公开(公告)号：CN108141196B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201680057976.X

申请日：2016-10-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  岸武彦 ,  山田宏 ,  福光政和

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/007

Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。

公开(公告)号：CN111683896A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088213.0

申请日：2018-08-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  大川忠行 ,  加本拓 ,  后藤雄一 ,  井上义久 ,  岸武彦

IPC: B81B3/00 ,  H03H9/24 ,  B81C3/00 ,  H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明具备：压电膜；第一电极以及第二电极，它们夹着该压电膜；保护膜，其设置为覆盖第二电极的至少一部分，具有将第二电极的一部分开口的开口部；第三电极，其设置为至少在开口部与第二电极接触，且覆盖保护膜的至少一部分；以及第一布线层，其具有与第三电极接触的第一接触部。

公开(公告)号：CN105210295B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201480026898.8

申请日：2014-05-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西村俊雄 ,  长谷贵志 ,  竹山佳介 ,  开田弘明 ,  梅田圭一 ,  岸武彦 ,  山田宏

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/21 ,  H01L41/0478

Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。

公开(公告)号：CN105556840A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051082.0

申请日：2014-09-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 山田宏 ,  梅田圭一 ,  岸武彦 ,  西村俊雄

IPC: H03H9/24 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/171 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/2484 ,  H03H9/2489 ,  H03H2003/027 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/02511 ,  H03H2009/241

Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。

公开(公告)号：CN105210295A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480026898.8

申请日：2014-05-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西村俊雄 ,  长谷贵志 ,  竹山佳介 ,  开田弘明 ,  梅田圭一 ,  岸武彦 ,  山田宏

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H9/21 ,  H01L41/0478

Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。