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公开(公告)号：CN111819668B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201880090846.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306 , H10D30/01 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113053728B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN112602179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113308249A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN112602179A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111819668A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201880090846.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN109545704A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201810994507.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。
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公开(公告)号：CN109155247A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780026979.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。
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公开(公告)号：CN110120359B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910079946.4
申请日：2019-01-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 根来世
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下，也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体，根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前，使不需要气体在处理液中减少，不需要气体是浓度调整气体以外的气体，在基板的处理中溶入处理液中。
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公开(公告)号：CN116097406A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180053024.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308
Abstract: 通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板，而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后，将碱性的第2蚀刻液供应给基板，而对蚀刻对象物施行蚀刻；该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物，且对硅的(110)面、(100)面、及(111)面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小，蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
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