公开(公告)号：CN1956150A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610144562.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜，有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜，典型地，非晶硅膜，用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体，膜包含高浓度，或，具体地，1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素，和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN1389905A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02121623.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见勇臣 ,  一条充弘 ,  铃木规悦 ,  大沼英人 ,  米泽雅人

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78636 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 通过使用促进半导体膜晶化的金属元素形成具有结晶结构的半导体膜,有效地除去残留在膜中的金属元素以减少元件中的偏差。基于作为形成吸取位的步骤的等离子体CVD法得到具有非晶结构的半导体膜,典型地,非晶硅膜,用甲硅烷、稀释有气体元素和氢作为起始气体,膜包含高浓度,或,具体地,1×1020/cm3－1×1021/cm3浓度的稀有气体元素,和1×1015/cm3－1×1017/cm3浓度的氟。

公开(公告)号：CN101937932B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN101540276B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910128584.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古野诚 ,  杉山徹朗 ,  野泽太一 ,  一条充弘 ,  田岛亮太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。

公开(公告)号：CN101540276A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128584.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古野诚 ,  杉山徹朗 ,  野泽太一 ,  一条充弘 ,  田岛亮太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。