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公开(公告)号：CN101567397B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910136911.6
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/1816 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。
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公开(公告)号：CN101752433A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910178380.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0747 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。
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公开(公告)号：CN101567408A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136910.1
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/036 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/0201 , H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H02S40/34 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 所公开的本发明的目的之一在于在有效地利用有限的资源的同时安全地提供具有优越的光电转换特性的光电转换装置。在所公开的本发明中，在单晶半导体衬底中形成脆化层，并且在单晶半导体衬底的一个表面上形成第一杂质半导体层、第一电极以及绝缘层；通过在将绝缘层和支撑衬底贴紧来将单晶半导体衬底和支撑衬底贴在一起后，在脆化层中分离单晶半导体衬底，形成包括第一单晶半导体层的叠层体；在第一单晶半导体层上形成第一半导体层及第二半导体层；通过固相成长，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶度，来形成第二单晶半导体层；在第二单晶半导体层上形成具有与第一杂质半导体层相反的导电型的第二杂质半导体层；在第二杂质半导体层上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN101369541A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810210498.9
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67207 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101752433B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200910178380.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0747 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高效的光电转换装置，而不使制造工序复杂化。一种光电转换装置，包括构成半导体接合的单元元件，其中依次层叠有：一导电型的第一杂质半导体层；包括晶体半导体所占的比率高于非晶半导体的第一半导体区域和非晶半导体所占的比率高于晶体半导体且在所述非晶半导体中混合有放射状晶体和具有针状生长端的结晶的第二半导体区域的半导体层；以及其导电型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。
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公开(公告)号：CN101369541B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200810210498.9
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67207 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。
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公开(公告)号：CN101369539B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810145666.0
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
Abstract: 在形成底栅型薄膜晶体管时，进行在栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜的工序，以及在微晶半导体膜上形成非晶半导体膜的工序。在形成微晶半导体膜的工序中，将反应室的压力设定为10-5Pa以下，将衬底的温度设定为120℃至220℃的范围内，通过导入氢及硅气体来生成等离子体，在进行成膜时，使氢等离子体作用到形成在栅绝缘膜表面的反应生成物来进行去除。另外，通过将HF频带的第一高频电力和VHF频带的第二高频电力彼此叠加并施加来生成等离子体。
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公开(公告)号：CN101527260B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810183703.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 鸟海聪志
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/67207 , C30B25/105
Abstract: 本发明的目的在于提供不形成迁移层，或者可以使迁移层薄于现有的迁移层的结晶半导体膜的形成方法及应用该形成方法的薄膜晶体管的制造方法。其中在衬底上或在衬底上的绝缘膜上形成包含氢的半导体膜，对该包含氢的半导体膜在氢和/或稀有气体中进行表面波等离子体处理，以在该包含氢的半导体膜中产生晶核。通过使用等离子体CVD法使该晶核成长来形成结晶半导体膜。
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公开(公告)号：CN101369539A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145666.0
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种显示装置的制造方法。在形成底栅型薄膜晶体管时，进行在栅绝缘膜上利用等离子体CVD法形成微晶半导体膜的工序，以及在微晶半导体膜上形成非晶半导体膜的工序。在形成微晶半导体膜的工序中，将反应室的压力设定为10－5Pa以下，将衬底的温度设定为120℃至220℃的范围内，通过导入氢及硅气体来生成等离子体，在进行成膜时，使氢等离子体作用到形成在栅绝缘膜表面的反应生成物来进行去除。另外，通过将HF频带的第一高频电力和VHF频带的第二高频电力彼此叠加并施加来生成等离子体。
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