公开(公告)号：CN102707529A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210216767.9

申请日：2009-03-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明涉及显示装置及电子设备。在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。

公开(公告)号：CN102683355A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210133227.4

申请日：2008-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/13

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。

公开(公告)号：CN101676779B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910204205.0

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/136222

Abstract: 一种液晶显示器件，它包括：在衬底之上的第一遮光膜和成色膜；在所述第一遮光膜和所述成色膜之上的绝缘膜；在所述绝缘膜之上的栅电极；在所述栅电极之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的第一半导体膜；在所述第一半导体膜之上的绝缘体；在所述第一半导体膜之上的第二半导体膜；在所述第二半导体膜之上的源电极和漏电极；在所述绝缘体之上的第二遮光膜；在所述源电极、所述漏电极和所述第二遮光膜之上的钝化膜；和在所述钝化膜之上的像素电极，其中，所述像素电极通过所述钝化膜电连接于所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

公开(公告)号：CN101000907B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710003898.8

申请日：2007-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  冈本知广

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/95122 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15155 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种低成本且高通用性的半导体器件及其制造方法，以及提高了成品率的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有如下结构，即包括具有多个不同形状或不同大小的凹部的基体、以及配置在凹部中且适合于凹部的多个IC芯片。可以通过使用具有多个凹部的基体和适合于凹部的IC芯片，以低成本制造选择性地装上适合用途的功能的半导体器件。

公开(公告)号：CN1975546B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200610163964.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133351 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/133342 ,  G02F2001/133354 ,  G02F2001/133557 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明的目的是实现薄、低功耗、制造时能提高产量且能双面显示的显示器，这种显示器可用于像手机这种便携信息终端设备。包括第一基板1a和第二基板1b的液晶显示器具有透射型有源矩阵第一液晶显示器3001和反射型有源矩阵第二液晶显示器3002，其中第一基板具有第一液晶显示器的TFT区域和第二液晶显示器的对置区域，而第二基板具有第一液晶显示器的对置区域和第二液晶显示器的TFI区域。

公开(公告)号：CN101490610A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026907.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/13394 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1362

Abstract: 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。

公开(公告)号：CN101419946A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175034.9

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄 ,  藤川最史 ,  千叶阳子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的目的之一在于通过缩减曝光掩模数使光刻工序简化，以低成本且高生产率制造具有可靠性的显示装置。在具有沟道蚀刻结构的反交错型薄膜晶体管的显示装置的制造方法中，使用掩模层进行蚀刻工序，该掩模层使用用作透过的光具有多个强度的曝光掩模的多级灰度掩模形成。进而，在衬底上以彼此相同的工序形成栅极布线层和源极布线层，且在栅极布线层和源极布线层的交叉部以源极布线层为分割(切断)的形状。被分割的源极布线层在开口(接触孔)中隔着导电层彼此电连接。该导电层通过与源电极层及漏电极层相同的工序在栅极绝缘层上形成。

公开(公告)号：CN101419945A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175032.X

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄 ,  千叶阳子

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。

公开(公告)号：CN104272214B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201380024451.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 细谷邦雄

IPC: G06F1/16 ,  G06F3/01 ,  G06T13/20

Abstract: 提供一种电子设备，该电子设备通过利用显示屏的柔性的特征根据显示屏的三维形状来在显示屏上显示物体(体)。一种电子设备，包括：显示部，该显示部在显示屏上显示物体的柔性显示装置；检测部，该检测部检测出显示屏上给定部分的位置数据；以及运算部，该运算部基于该位置数据而算出显示屏的三维形状，并且根据已算出的显示屏的三维形状对运算的动作进行运算，以物体依照指定的规律运动。

公开(公告)号：CN102290432B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110170657.9

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤川最史 ,  细谷邦雄

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。