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公开(公告)号：CN103259049B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201310051888.7
申请日：2013-02-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/0587
摘要： 本发明的目的之一是提供一种能够弯曲的薄片状的蓄电装置。该蓄电装置包括夹着隔离体卷绕有正极和负极的多个卷绕部以及由正极和负极分别延伸到多个卷绕部的外部的部分构成的联结部，其中，多个卷绕部通过联结部串联连接，并且，通过使联结部弯曲而使蓄电装置具有柔性。
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公开(公告)号：CN103257491B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310159591.2
申请日：2007-09-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1335 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
摘要： 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
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公开(公告)号：CN102683355B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210133227.4
申请日：2008-12-05
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 细谷邦雄
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/13
摘要： 本发明的目的在于提供一种具有高开口率且具有大容量的存储电容器的显示装置。本发明涉及一种显示装置及其制造方法，所述显示装置包括：包括栅电极；栅极绝缘膜；第一半导体层；沟道保护膜；分离为源区和漏区，以及源电极和漏电极的导电性第二半导体层的薄膜晶体管；在所述第二导电膜上形成的第三绝缘层；形成在所述第三绝缘层上且与源电极或漏电极的一方电连接的像素电极；夹着电容布线上的第三绝缘层形成在第一绝缘层上的电容布线与像素电极的重叠区域中的存储电容器。
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公开(公告)号：CN104272214A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380024451.2
申请日：2013-04-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 细谷邦雄
CPC分类号： G06T15/005 , G06F1/1652 , G06F1/1694 , G06F3/011 , G06F2200/1637 , G06F2203/04102 , G06T13/20 , G09G2380/02 , H04M1/0268
摘要： 提供一种电子设备，该电子设备通过利用显示屏的柔性的特征根据显示屏的三维形状来在显示屏上显示物体(体)。一种电子设备，包括：显示部，该显示部在显示屏上显示物体的柔性显示装置；检测部，该检测部检测出显示屏上给定部分的位置数据；以及运算部，该运算部基于该位置数据而算出显示屏的三维形状，并且根据已算出的显示屏的三维形状对运算的动作进行运算，以物体依照指定的规律运动。
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公开(公告)号：CN101490610B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200780026907.3
申请日：2007-09-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1339 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
摘要： 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
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公开(公告)号：CN102290432A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110170657.9
申请日：2006-11-16
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/05 , H01L29/786
CPC分类号： H01L51/055 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3279 , H01L29/4908 , H01L51/0023 , H01L51/56
摘要： 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线，但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序：形成第一导电膜；在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂；在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜；在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜；形成第三导电膜，使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜；选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜；形成多个布线及电极。由此，由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线，因此可以解决信号延迟等问题。
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公开(公告)号：CN109240427A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811307175.1
申请日：2013-04-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 细谷邦雄
摘要： 提供一种电子设备的显示方法，该电子设备通过利用显示屏的柔性的特征根据显示屏的三维形状来在显示屏上显示物体(体)。所述显示方法包括如下步骤：在所述电子设备的显示屏上显示物体，所述显示屏具有柔性；获取所述显示屏上的所述物体和所述物体在其上进行移动的场的位置数据；基于所述位置数据计算所述显示屏的三维形状；检测所述物体上的触摸输入；以及执行物体移动模式。
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公开(公告)号：CN103698944B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310159712.3
申请日：2007-09-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/133512 , G02F1/1362
摘要： 当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
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公开(公告)号：CN102683421B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210127293.0
申请日：2006-12-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 细谷邦雄
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1255 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/50 , H01L27/124
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。
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公开(公告)号：CN101577280B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200910006746.2
申请日：2009-02-13
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/60 , H01L23/522
CPC分类号： H01L27/0296 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要： 本发明提供一种显示装置。本发明的目的在于减少保护电路的占有面积。本发明的目的还在于提高含保护电路的显示装置的可靠性。本发明的保护电路包括衬底上的第一布线、第一布线上的绝缘膜以及绝缘膜上的第二布线。
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