发明授权
- 专利标题： 半导体设备
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN200780026907.3申请日： 2007-09-19
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公开(公告)号： CN101490610B公开(公告)日： 2013-06-05
- 发明人: 藤川最史 , 细谷邦雄
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 屠长存
- 优先权： 266287/2006 2006.09.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2007/068737 2007.09.19
- 国际公布： WO2008/038686 EN 2008.04.03
- 进入国家日期： 2009-01-15
- 主分类号： G02F1/1343
- IPC分类号： G02F1/1343 ; G02F1/1339 ; G02F1/1362
摘要：
当在与TFT重叠的区域中提供柱状间隔物时，存在如下考虑，在使一对基板相互附连时，将施加压力，该压力可能导致TFT受到不利影响并且形成裂纹。在与TFT重叠的位置形成的柱状间隔物下面由无机材料形成伪层。该伪层位于与TFT重叠的位置，由此分散和减轻了在附连基板对的步骤中施加到TFT的压力。该伪层优选地由与像素电极相同的材料形成使得在不增加处理步骤数目的情况下形成它。
公开/授权文献
- CN101490610A 半导体设备 公开/授权日：2009-07-22
IPC分类:
