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公开(公告)号：CN1947132B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580012187.6
申请日：2005-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K7/10178 , G06K17/00 , G06K19/07758 , G06K2017/0051 , H04B5/0056 , H04B5/0081
Abstract: 当与ID标签相连的产品置于包装体内部时，存在使用读取器/写入器与ID标签的通信被阻断的风险。从而，难以在产品的分发过程中管理产品，这导致失去ID标签的方便性。本发明的一个特征是包括用于包装与ID标签相连的产品的包装体和读取器/写入器的产品管理系统。ID标签包括薄膜集成电路部分和天线，包装体包括含有天线线圈和电容器的谐振电路部分，谐振电路部分可与读取器/写入器和ID标签通信。从而，即使当产品被包装体包装时，也可确保附连于产品的ID标签与R/W之间的通信的稳定性，且可简单并有效地进行产品管理。
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公开(公告)号：CN100474621C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510067204.8
申请日：2005-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 在为TFT配备LDD区的情形中，必需单独形成将作为掩模的绝缘膜或设计栅电极层的形状，以便使注入半导体膜的杂质浓度不同；因此，构图步骤的数目必然增加，并且步骤变得复杂。按照本发明一个特征的半导体器件包括半导体层，该半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及具有膜厚度不均匀的单层结构或层叠结构的栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在栅电极层与半导体层之间，栅电极层与半导体层发生接触。具体地说，通过采用微滴排放法，能够容易地形成膜厚度不均匀的栅电极层；因此，微滴排放法的便利性得以充分利用。
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公开(公告)号：CN1918708A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004279.X
申请日：2005-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/077 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/025 , G06K19/07728 , G06K19/07749 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2221/6835 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1910600A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002912.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , G09F3/00 , H01L27/12 , B42D15/10
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07779 , G06K19/07783 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/78603 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。
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公开(公告)号：CN1910596A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002578.X
申请日：2005-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/00 , H01L27/04 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1266 , G06K19/073 , G06K19/07726 , G06K19/07749 , G06K19/0776 , G06K19/07798 , G06K2017/0064 , H01L23/49855 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在粘到物体之后被剥离时，它能可靠地限制与读/写器之间的信号或电源电压的发射/接收。本发明的半导体装置包括支撑基底上形成的集成电路和天线。本发明的半导体装置中，在支撑基底上形成分离层，该分离层与将绝缘薄膜夹在中间的集成电路和天线交叠。电学连接集成电路和天线的布线、电学连接集成电路中的半导体元件的布线或形成天线的布线经过该分离层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1697196A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067204.8
申请日：2005-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 在为TFT配备LDD区的情形中，必需单独形成将作为掩模的绝缘膜或设计栅电极层的形状，以便使注入半导体膜的杂质浓度不同；因此，构图步骤的数目必然增加，并且步骤变得复杂。按照本发明一个特征的半导体器件包括半导体层，该半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及具有膜厚度不均匀的单层结构或层叠结构的栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在栅电极层与半导体层之间，栅电极层与半导体层发生接触。具体地说，通过采用微滴排放法，能够容易地形成膜厚度不均匀的栅电极层；因此，微滴排放法的便利性得以充分利用。
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公开(公告)号：CN1655187A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009153.3
申请日：2005-02-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G06K19/07722 , G06K19/07749 , G08B13/2417 , G08B13/2437
Abstract: 在粘结着非接触型或接触型ID标号或ID标签的商品和ID卡中，由于在用于通讯的天线和在天线周围所设置的树脂之间的热膨胀系数之间的差异所引起的应力会施加到具有较大热膨胀系数的树脂上，从而使得树脂断裂。这样会降低ID标号及其它等等的产量、寿命以及可靠性。在诸如根据本发明的ID标号、ID标签合ID卡的物品中，在形成ID标号、ID标签和ID卡的天线周围所设置的填充层中包括填充剂，从而可以减小在天线和填充层之间的热膨胀系数中的差异。这就有可能消除由于热膨胀系数中的差异所引起的应力产生，并能避免填充层的剥离和断裂。
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公开(公告)号：CN100592478C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200480035952.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 随着布线变厚，覆盖此布线的绝缘膜的不连续性已经成了问题。难以形成用于目前高分辨率显示器件的薄膜晶体管的宽度足够小的布线。随着布线被做得更薄，布线电阻造成的信号延迟已经成了问题。考虑到上述各问题，本发明提供了一种结构，其中，导电膜被形成在绝缘膜的孔中，且导电膜与绝缘膜的表面是平坦的。结果，能够防止覆盖导电膜和绝缘膜的薄膜的不连续。借助于控制孔的宽度，能够将布线做得更细。而且，借助于控制孔的深度，能够将布线做得更厚。
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公开(公告)号：CN1914737A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480040428.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/78603 , H01L29/78696
Abstract: 在常规TFT制成反向交错式的情况下，形成岛形半导体区域时需要通过曝光、显影和液滴释放来形成光刻胶掩模。这导致了处理次数和材料数量的增加。根据本发明，由于在形成源极区和漏极区之后，用作沟道区的部分被用作沟道保护膜的绝缘膜所覆盖形成岛形半导体膜，可以简化工艺，并且这样可以只利用金属掩模而不用光刻胶掩模来制造半导体元件。
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公开(公告)号：CN1890787A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480035952.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786
Abstract: 随着布线变厚，覆盖此布线的绝缘膜的不连续性已经成了问题。难以形成用于目前高分辨率显示器件的薄膜晶体管的宽度足够小的布线。随着布线被做得更薄，布线电阻造成的信号延迟已经成了问题。考虑到上述各问题，本发明提供了一种结构，其中，导电膜被形成在绝缘膜的孔中，且导电膜与绝缘膜的表面是平坦的。结果，能够防止覆盖导电膜和绝缘膜的薄膜的不连续。借助于控制孔的宽度，能够将布线做得更细。而且，借助于控制孔的深度，能够将布线做得更厚。
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