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公开(公告)号：CN111033702B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B41/10 , H10B41/70 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H10B12/00
Abstract: 成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导 与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的 第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝(56)对比文件CN 106409919 A,2017.02.15CN 107004722 A,2017.08.01JP 2016157937 A,2016.09.01JP 2017098535 A,2017.06.01JP 2017120905 A,2017.07.06US 2008002454 A1,2008.01.03US 2013200375 A1,2013.08.08US 2014339539 A1,2014.11.20US 2015053972 A1,2015.02.26US 2015179803 A1,2015.06.25US 2015280013 A1,2015.10.01US 2015349127 A1,2015.12.03US 2016284859 A1,2016.09.29US 2017170211 A1,2017.06.15WO 2017072627 A1,2017.05.04
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公开(公告)号：CN107210227B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201680008409.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。
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公开(公告)号：CN110998808A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050764.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。
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公开(公告)号：CN102017129B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980117627.2
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 目的是在没有增加存储单元的面积的情况下减小存储晶体管的写入和擦除电压，以及目的是在没有增加写入和擦除电压的情况下减小存储单元的面积。存储单元包括具有第一岛状半导体区、浮栅和控制栅的存储晶体管。另外，第二岛状半导体区隔着绝缘膜在浮栅之下形成。由于第二岛状半导体区电连接到控制栅，所以电容在第二岛状半导体区与浮栅之间形成。这个电容促进存储晶体管的耦合比的增加，这使得能够在没有增加存储单元的面积的情况下增加耦合比。此外，可在没有减小耦合比的情况下减小存储单元的面积。
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公开(公告)号：CN101615615B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910165583.2
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L28/91 , H01L29/41733 , H01L29/51 , H01L29/78618
Abstract: 本发明的目的是在安装在以RFID为典型的半导体装置中的存储元件中，提供减少制造步骤以实现低成本化的存储元件和具有该存储元件的存储电路。本发明是具有有机化合物的存储元件，该有机化合物夹在电极之间，其中，将与控制该存储元件的半导体元件连接的电极用作该存储元件的电极。此外，由于将形成在绝缘表面上的极薄的半导体膜用作该存储元件，从而，可以实现低成本化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047191B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200710092135.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C16/0416 , G11C16/0433 , G11C16/0483 , H01L21/28273 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/1214 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7885
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在写入特性及电荷保持特性上优良的非易失性半导体存储装置。在本发明中，设置在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分设置第一绝缘层、浮动栅极、第二绝缘层、以及控制栅极。浮动栅具有至少两层结构，并且接触到第一绝缘层的第一层的带隙优选小于半导体层的带隙。而且，通过使用金属、合金或金属化合物材料形成浮动栅极的第二层，提高上述第一层的稳定性。根据上述浮动栅极的结构，可以提高在写入时的载流子注入性且提高电荷保持特性。
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公开(公告)号：CN101615623B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910164150.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L27/285 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0533
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种存储器电路、非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。
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公开(公告)号：CN101615623A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910164150.5
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11206 , H01L27/11286 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/13 , H01L27/285 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/0533
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种存储器电路、非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。
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公开(公告)号：CN100543988C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610071987.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , Y10S257/928
Abstract: 本发明提供了包括具有简单结构的存储器的半导体器件、便宜的半导体器件、其制备方法和驱动方法。一个特征在于，在具有包括有机化合物作为电介质的层的存储器中，通过施加电压到一对电极上，在所述电极对之间产生了由于体积突变(比如气泡形成)导致的状态变化。通过基于此状态变化的作用力，促进了在电极对之间的短路。具体而言，在所述存储元件中提供气泡形成区以在所述第一导电层和第二导电层之间形成气泡。
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公开(公告)号：CN101128935A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200580040575.5
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L27/283 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器，并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于，半导体器件包括：在第一方向上延伸的多个位线，在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线，具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列，以及设置在存储单元中的存储元件；其中，该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线；该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。
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