公开(公告)号：CN103516235B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310071378.6

申请日：2013-03-06

申请人： 株式会社东芝

发明人： 西胁达也 ,  吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  新井雅俊

IPC分类号： H02M7/12

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 一种不使用碳化硅等高价半导体材料也能实现反向恢复时间短、高耐压且高可靠性的整流电路。整流电路具备在第1端子及第2端子间串联连接的整流元件及单极场效应晶体管。整流元件具有第1电极及第2电极。在进行直流动作时，当反向偏置时流过整流元件的第1漏电流大于当在场效应晶体管的栅电极及源电极间施加了阈值以下的电压时流过源电极及漏电极的第2漏电流，并且第2漏电流与漏电极及源电极间的电压之间的关系处在场效应晶体管的安全工作区内，在进行交流动作时，当整流元件切换为反向偏置时，在反向偏置的期间内向整流元件的结电容的充电完成，并且充电过程中从整流元件流过场效应晶体管的电流处在场效应晶体管的安全工作区内。

公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

申请人： 株式会社东芝

发明人： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

摘要： 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN104917374A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453507.2

申请日：2014-09-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 仲敏行 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  內原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  増子真吾 ,  小野祐

IPC分类号： H02M3/155

CPC分类号： H02M3/33507 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1491

摘要： 本发明提供一种具备可以使常导通元件适当地动作的控制电路的电源电路。根据一实施方式，电源电路包括第一电路，该第一电路包含一个以上的第一开关元件以及控制所述第一开关元件的动作的第一控制电路，且输出第一电压。进而，所述电源电路包括第二电路，该第二电路包含包括常导通元件的一个以上的第二开关元件以及控制所述第二开关元件的动作的第二控制电路，且输出从所述第一电压产生的第二电压。进而，所述第二控制电路是基于所述第二电路内的第一节点的电压或电流的值，发送使所述第一电路输出所述第一电压的第一信号。进而，所述第一控制电路是通过根据所述第一信号来控制所述第一开关元件的动作，而使所述第一电压从所述第一电路输出。

公开(公告)号：CN104916682A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410447217.7

申请日：2014-09-04

申请人： 株式会社东芝

发明人： 斋藤涉 ,  齐藤泰伸

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/1066 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供一种实现常断开动作的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，包含AlXGa1-XN；第2半导体层，设于第1半导体层上，且包含非掺杂或n型AlYGa1-YN；第1电极，设于第2半导体层上；第2电极，设于第2半导体层上；第3半导体层，离开第1电极及第2电极而设于第2半导体层上的第1电极与第2电极之间，且包含p型AlZGa1-ZN，其中0≤Z＜1；控制电极，设于第3半导体层上；第4半导体层，离开控制电极而设于第3半导体层上的第1电极与控制电极之间，且包含n型AlUGa1-UN；及第5半导体层，离开控制电极而设于第3半导体层上的控制电极与第2电极之间，且包含n型AlUGa1-UN。

公开(公告)号：CN104347694A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310729612.X

申请日：2013-12-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 藤本英俊 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423

摘要： 本发明的实施方式提供一种能够兼顾高耐压和低开启电阻的使用III族氮化物半导体的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板。第1层设在基板的第1面的上方，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。第2层设在第1层上，使用第2导电型的III族氮化物半导体形成。第3层部分地设在第2层的表面中的第1区域上，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。栅极电极的一端处于第3层的表面上方，经由第2层而另一端处于第1层内，与第1层、第2层及第3层绝缘。第1电极连接在第3层上。第2电极连接在第2层的表面中的第1区域以外的第2区域上。第3电极设在与第1面相反侧的基板的第2面上。

公开(公告)号：CN103367356A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210315883.6

申请日：2012-08-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  斋藤涉

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0676 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

摘要： 根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。

公开(公告)号：CN103022118A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210320351.1

申请日：2012-08-31

申请人： 株式会社东芝

发明人： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明的实施方式的氮化物半导体装置，具备基板（1）、第一氮化物半导体层（3）、第二氮化物半导体层（4）以及在第二氮化物半导体层上（4）设置的源电极（5）、漏电极（6）、第一栅电极（9）、肖特基电极（10）和第二栅电极（12）。在第二氮化物半导体层（4）与第一氮化物半导体层（3）之间的界面处，形成二维电子气。第一栅电极（9）是常截止型FET（20）的栅电极，设置在源电极（5）与漏电极（6）之间。肖特基电极（10）设置在第一栅电极（9）与漏电极（6）之间。第二栅电极（12）是常导通型FET（21）的栅电极，设置在肖特基电极（10）与漏电极（6）之间。

公开(公告)号：CN110911490B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201910171830.3

申请日：2019-03-07

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 齐藤泰伸

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20

摘要： 实施方式提供一种抑制了开关时的电流振动和电子的捕获所带来的导通电阻的增加的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：基板；设于基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大；设于第二氮化物半导体层上的源极电极；设于第二氮化物半导体层上的漏极电极；设于源极电极与漏极电极之间的栅极电极；以及在漏极电极与栅极电极之间的第二氮化物半导体层上与漏极电极分离地设置的p型的第三氮化物半导体层。(56)对比文件JP 2013074070 A,2013.04.22JP 2014041965 A,2014.03.06JP 2014187085 A,2014.10.02JP 2015179785 A,2015.10.08US 2003157776 A1,2003.08.21US 2005189559 A1,2005.09.01US 2011272708 A1,2011.11.10US 2012241751 A1,2012.09.27US 2013248874 A1,2013.09.26US 2014239311 A1,2014.08.28US 2014252370 A1,2014.09.11US 2014264441 A1,2014.09.18US 2016020313 A1,2016.01.21US 2016172474 A1,2016.06.16WO 2013021628 A1,2013.02.14

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

申请人： 株式会社东芝

发明人： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104916642A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410444337.1

申请日：2014-09-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  內原士 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种提高静电破坏耐受量的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包含第一半导体层及形成在所述第一半导体层上的第二半导体层。进而，所述装置包含隔着第一绝缘膜而形成在所述第一半导体层上的第一控制电极。进而，所述装置包含第二控制电极，所述第二控制电极隔着第二绝缘膜而形成在所述第一半导体层上，且所述第二绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离大于所述第一控制电极的所述第一绝缘膜侧的一端与所述第一半导体层的距离。进而，所述装置包含将所述第一控制电极与所述第二控制电极电连接的配线。