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公开(公告)号：CN100454599C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610071020.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H01L27/115 , H01L29/66 , G11C11/00
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/115 , H01L29/66984 , H01L29/7881
Abstract: 提供一种自旋注入场效应晶体管、磁随机存取存储器和可重构逻辑电路。该自旋注入场效应晶体管包括：磁化方向被固定的第1铁磁性体；磁化方向被自旋注入电流改变的第2铁磁性体；位于上述第1铁磁性体和第2铁磁性体之间的沟道；在上述沟道上隔着栅绝缘层形成的栅电极；控制自旋注入电流的取向以确定上述第二铁磁性体的磁化方向的第1驱动器/汇流器，上述自旋注入电流流过上述沟道；流过辅助电流的导电线，该辅助电流在上述第2铁磁性体的易磁化轴方向上产生磁场；以及控制流过上述导电线的辅助电流的取向的第2驱动器/汇流器。
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公开(公告)号：CN1503229A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118331.7
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3272 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 提供能获得功耗小、热稳定性好的磁阻效应元件、磁存储器以及磁头。该磁阻效应元件具有：隧道阻挡层；夹着该隧道阻挡层设置在一侧的成为磁化固定层的第一强磁性层；以及磁化自由层，该磁化自由层有：夹着隧道阻挡层设置在另一侧的第二强磁性层；在第二强磁性层的与隧道阻挡层相反的一侧形成、膜面面积比第二强磁性层大、且能利用外部磁场进行磁化方向反转的第三强磁性层；以及设置在第二强磁性层和第三强磁性层之间、将第三强磁性层的磁化的反转传递给第二强磁性层的中间层。
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公开(公告)号：CN101483428B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910002015.0
申请日：2009-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03K19/0944 , G11C11/16
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1697
Abstract: 可以提供一个可重新配置逻辑电路，可以采用该可重新配置逻辑电路实现高集成度。可重新配置逻辑电路包括：包括多个自旋MOSFET和选择部分的多路复用器，每个所述自旋MOSFET具有包含磁材料的源极和漏极，并且所述选择部分包括多个MOSFET，并且基于从控制线传输的控制数据，从多个自旋MOSFET中选择一个自旋MOSFET；确定电路，其确定由选择部分选择的所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化处于第一状态还是第二状态；以及第一和第二写电路，其通过提供在所选择的自旋MOSFET的源极和漏极之间流动的写电流，分别将所选择的自旋MOSFET的源极和漏极的磁材料的磁化置于第第二和第一状态。
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公开(公告)号：CN102148055A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010509925.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C14/0081
Abstract: 本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路，其具备：第一p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极；第二p沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极；第一n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第五电极和作为另一个的第六电极；第二n沟道自旋MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第七电极和作为另一个的第八电极；第一n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第九电极和作为另一个的第十电极；以及第二n沟道MOS晶体管，具有作为源极和漏极中的一个的第十一电极和作为另一个的第十二电极。
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公开(公告)号：CN101546600A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129709.0
申请日：2009-03-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C14/0081 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/02 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , H03K19/0944 , H03K19/18
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体－磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。
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公开(公告)号：CN101140952A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149786.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3272
Abstract: 一种自旋MOSFET，包括：半导体衬底；第一磁性膜，该第一磁性膜形成在该半导体衬底上且包括第一铁磁层，该第一铁磁层的磁化方向固定；第二磁性膜，该第二磁性膜形成在该半导体衬底上并与该第一磁性膜间隔开，并且包括磁化自由层、第一非磁性层以及磁化固定层，其中该第一非磁性层是隧道绝缘体且设置在该磁化自由层上，该磁化固定层设置在该第一非磁性层上，该磁化自由层的磁化方向可变而该磁化固定层的磁化方向固定；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少设置在该第一磁性膜和该第二磁性膜之间的半导体衬底上；以及形成在该栅极绝缘膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101140944A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710153622.8
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/22 , H01L29/66 , H01L29/772 , G11C11/15 , G11C11/16
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/66984
Abstract: 一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。
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公开(公告)号：CN101030443A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710006985.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/933 , Y10S977/935
Abstract: 可以在低电流密度下引起自旋反转，这样不会造成元件损坏，还可以用小电流进行写操作。一种磁阻效应元件包括：磁化钉扎层，其中磁化方向被钉扎；磁记录层，其中磁化方向可变，所述磁化钉扎层中的磁化方向与所述磁记录层中的磁化方向之间形成一个大于0度小于180度的角，并且通过注入自旋极化电子到所述磁记录层中，所述磁记录层中的磁化方向实现反转；以及一个非磁性金属层，介于所述磁化钉扎层和磁记录层之间。
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公开(公告)号：CN1433020A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102766.0
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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