公开(公告)号：CN101546600A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129709.0

申请日：2009-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  石川瑞恵 ,  杉山英行 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/18

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体－磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。

公开(公告)号：CN102651234B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210043857.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  井口智明 ,  杉山英行 ,  石川瑞恵 ,  齐藤好昭 ,  木下敦宽 ,  辰村光介

IPC: G11C15/00 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C11/161 ,  G11C15/046 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。

公开(公告)号：CN101546600B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200910129709.0

申请日：2009-03-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  石川瑞恵 ,  杉山英行 ,  齐藤好昭

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C14/0081 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/02 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/18

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体-磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。

公开(公告)号：CN102651234A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210043857.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丸亀孝生 ,  井口智明 ,  杉山英行 ,  石川瑞恵 ,  齐藤好昭 ,  木下敦宽 ,  辰村光介

IPC: G11C15/00 ,  G11C15/04

CPC classification number: G11C15/02 ,  G11C11/161 ,  G11C15/046 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。