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公开(公告)号：CN101005015A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710004308.3
申请日：2007-01-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , Y10S430/162
Abstract: 一种基板处理方法，包括：在供于使液体介于要实施曝光处理的被处理基板与进行上述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间并且进行上述曝光处理的液浸曝光的上述被处理基板的要实施上述曝光处理的一侧的第1主面上设置抗蚀剂膜之前，至少对与上述第1主面相反侧的第2主面之中从周边部分开始的规定范围内的区域选择地实施疏水化处理。
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公开(公告)号：CN1311522C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410091568.5
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图形形成方法和半导体器件的制造方法。本发明的目的在于实现用来形成今后所需要的微细的抗蚀剂图形的图形形成方法。本图形形成方法，具有：在衬底上形成第1抗蚀剂图形的工序(步骤S2)；向第1抗蚀剂图形上照射光的工序(步骤S3)；在第1抗蚀剂图形与抗蚀剂膜之间的界面上形成交联层，形成包括该交联层和第1抗蚀剂图形的第2抗蚀剂图形的工序(步骤S4)，在步骤S3中，根据在步骤S11-S13中预先求得的收缩量和照射量之间的对应关系，将要向第1抗蚀剂图形上照射的光的量设定为使得第2抗蚀剂图形的尺寸变成为规定的尺寸。
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公开(公告)号：CN1877457A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610094255.4
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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公开(公告)号：CN1276306C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1249529C
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN02119275.8
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN1811603B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200610006126.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/32 , G03F7/42 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/422 , G03F7/425
Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。
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公开(公告)号：CN1963995A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610162953.3
申请日：2004-08-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/321 , G03F7/00 , B23K26/00 , B23K101/40
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其特征在于具有：向基板上供给含有溶剂的涂敷膜形成用药液以在上述基板主面上形成液膜的工序；采用除去含于液膜中的溶剂的一部分的办法形成被加工膜的工序；向上述被加工膜的加工区域选择照射加工光以选择除去上述被加工膜的工序；在照射上述加工光后，进行几乎完全除去含于被加工膜中的溶剂的真正意义的加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN1460895A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03131416.3
申请日：2003-05-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L23/544 , B23K26/066 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , G03F7/2026 , G03F7/70341 , G03F9/7076 , G03F9/708 , G03F9/7084 , G21K5/10 , H01J2237/30438 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/949 , H01L2924/00
Abstract: 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
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