公开(公告)号：CN106373893A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610236602.6

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  志摩真也 ,  高野勇佑 ,  渡部武志 ,  涩谷克则

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使半导体装置的制造容易的半导体装置及其制造方法。根据实施方式的制造方法，于在一面侧隔着粘接剂而包含多个半导体元件、且在另一面包含与半导体元件电连接的外部输入输出端子的衬底的一面上，模铸包含氧化硅的密封树脂层。在以另一面成为下侧的方式将多个被切断的衬底收纳在托盘的状态下，对衬底的密封树脂层的表面进行溅镀蚀刻。溅镀蚀刻是使氧化硅的被密封树脂层覆盖的部分的一部分露出。在将衬底收纳在托盘的状态下溅镀金属层。

公开(公告)号：CN104716074A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410751756.X

申请日：2014-12-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 涩谷克则 ,  井本孝志 ,  本间庄一 ,  渡部武志 ,  高野勇佑

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67778 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供作业性与维护性优异的半导体制造装置。实施方式的半导体制造装置包括：第1搬送部，其将托盘自托盘收纳供给部取出并载置在搬送载体上，且将该搬送载体搬送至溅镀装置，该装置用于粘附电磁波屏蔽过程中使用的溅镀材料。该托盘收纳供给部收纳的托盘中搭载有未屏蔽的半导体封装，且该半导体封装主要负责进行电磁波屏蔽；及第2搬送部，其将载置有托盘的搬送载体自溅镀装置取出并搬送，且将托盘自搬送载体回收并收纳在托盘收纳供给部。该托盘内搭载有已完成电磁波屏蔽的半导体封装。

公开(公告)号：CN104716052A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410446963.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 后藤善秋 ,  井本孝志 ,  渡部武志 ,  高野勇佑 ,  赤田裕亮 ,  唐金祐次 ,  冈山良德 ,  柳田明彦

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种提高利用溅镀法的导电性屏蔽层的形成性的半导体装置的制造方法。在实施方式的制造方法中，准备包括作为被处理物搭载于配线基板上的半导体芯片及密封树脂层的多个半导体封装体(20)、以及包括多个被处理物收纳部(22)的托盘(21)。在托盘(21)的多个被处理物收纳部(22)内分别配置半导体封装体(20)。对配置于被处理物收纳部(22)内的半导体封装体(20)溅镀金属材料，形成覆盖密封树脂层的上表面及侧面与配线基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层。

公开(公告)号：CN104716051A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410444315.5

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部武志 ,  井本孝志 ,  高野勇佑 ,  本间庄一 ,  涩谷克则

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种具备对于树脂密封面具有良好的密接性的半导体装置的制造方法。将多个半导体元件搭载于配线基板。使用密封树脂将配线基板的搭载着半导体元件的面与多个半导体元件密封。切断被密封的配线基板，分离成各个半导体装置。加热分离后的半导体装置。于加热后的半导体装置的密封树脂表面与配线基板的切断面，通过金属溅镀形成屏蔽层。