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公开(公告)号：CN103579427A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310330343.X
申请日：2013-08-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。所述第二半导体层被设置在所述第一半导体层的[0001]方向侧。所述发光层包括第一阱层、第二阱层和第一势垒层。所述势垒层的In组成比低于所述第一阱层和所述第二阱层的In组成比。所述势垒层包括第一部分和第二部分。所述第二部件具有第一区域和第二区域。所述第一区域具有比所述第一部分的In组成比高的第一In组成比。所述第二区域被设置在所述第一区域和所述第一阱层之间。所述第二区域具有低于所述第一In组成比的第二In组成比。
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公开(公告)号：CN100499190C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN100477421C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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公开(公告)号：CN1925181A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668138B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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公开(公告)号：CN103943743A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410190978.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN102194955B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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公开(公告)号：CN102157648B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010275566.7
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：n型和p型半导体层、发光部、多层结构体以及n侧中间层。所述发光部被设置在所述半导体层之间。所述发光部包括包含GaN的势垒层以及被设置在所述势垒层之间的阱层。所述阱层包含Inx1Ga1-x1N。所述体被设置在所述n型半导体层与所述发光部之间。所述体包括：包含GaN的第一层以及被设置在所述第一层之间的第二层。所述第二层包含Inx2Ga1-x2N。第二In组成比x2不小于第一In组成比x1的0.6倍且低于所述第一In组成比x1。所述中间层被设置在所述体与所述发光部之间并包括包含Aly1Ga1-y1N(0＜y≤0.01)的第三层。
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公开(公告)号：CN102668138A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980163090.3
申请日：2009-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。
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