公开(公告)号：CN101005015A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710004308.3

申请日：2007-01-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 盐原英志 ,  松永健太郎 ,  河村大辅 ,  竹石知之 ,  早崎圭 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341 ,  Y10S430/162

Abstract: 一种基板处理方法，包括：在供于使液体介于要实施曝光处理的被处理基板与进行上述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间并且进行上述曝光处理的液浸曝光的上述被处理基板的要实施上述曝光处理的一侧的第1主面上设置抗蚀剂膜之前，至少对与上述第1主面相反侧的第2主面之中从周边部分开始的规定范围内的区域选择地实施疏水化处理。

公开(公告)号：CN1841213A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610076499.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  江间达彦 ,  高桥理一郎

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/26 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种进行曝光有所希望的图案的感光性抗蚀剂膜的显影的显影方法，包括：对曝光的上述感光性抗蚀剂膜进行第1显影处理；对进行了第1显影处理的感光性抗蚀剂膜，提供对该抗蚀剂膜表面具有氧化性的，或者是碱性的洗净液，进行第1洗净处理；对完成了第1洗净处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2显影处理；对进行了第2显影处理的上述感光性抗蚀剂膜进行第2洗净处理。

公开(公告)号：CN1261976C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03102108.5

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/027 ,  B05C9/12 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1249529C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02119275.8

申请日：2002-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。

公开(公告)号：CN1371121A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN02103561.X

申请日：2002-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  伊藤信一

IPC: H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/322 ,  G03F7/38

Abstract: 包含前处理工序、显影工序、及清洗工序;在该前处理工序中,将具有氧化作用的氧化性液体涂覆到曝光后的感光性抗蚀剂膜301a、b的表面,由该氧化性液体氧化该抗蚀剂膜的表面,形成氧化层310;在该显影工序中,向氧化了表面的上述感光性抗蚀剂膜供给显影液302,进行该抗蚀剂膜的显影;在该清洗工序中,向上述被处理基板的表面供给清洗液,对该基板进行清洗。这样,可抑制形成于抗蚀剂的图形的基板整个区域和微小区域的尺寸差,减少在显影工序中产生的缺陷。

公开(公告)号：CN101963759A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910170958.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31633

Abstract: 本发明涉及成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法。在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN1811603B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610006126.5

申请日：2002-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高桥理一郎 ,  早崎圭 ,  竹石知之 ,  伊藤信一

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/322 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 为抑制光刻胶膜显影时产生缺陷或者产生疏密图形尺寸差，利用显影液供给喷嘴111在表面已形成经曝光感光性光刻胶膜的被处理基板100上供给溶解有氧化性气体分子的显影液，进行感光性光刻胶膜的显影。

公开(公告)号：CN100582941C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田鍊平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N)，为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

公开(公告)号：CN100510958C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN03150313.6

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 早崎圭 ,  伊藤信一 ,  竹石知之 ,  川野健二 ,  江间达彦

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 一种图形形成方法，其特征在于：具备：在衬底上形成感光性树脂膜的工序；使上述感光性树脂膜曝光的工序；向上述感光性树脂膜上供给显影液，形成上述感光性树脂膜的图形的工序；采用使已活性化的水与上述图形接触的办法，进行除去上述图形的表层的细化处理的工序。

公开(公告)号：CN1825207A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610072041.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  江间达彦 ,  早崎圭 ,  中田錬平 ,  山田展英 ,  奥村勝弥

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口，对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量，一边相对移动上述喷嘴和衬底，在上述衬底上留下供给的溶液，并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中，设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上，而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10－5(m· sec/N)，为不足5×10－5qγ(mm)的范围内。