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公开(公告)号：CN100499190C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN1925181A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN119997575A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410725356.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D62/10 , H10D62/85 , H10D62/854 , H10D30/47
Abstract: 本发明提供一种氮化物结构体和半导体装置，其特性得以提高。根据实施方式，氮化物结构体包括层叠体。所述层叠体包括：含硅基体、含AlN的第1氮化物区域和含Alz2Ga1‑z2N(0≤z2
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公开(公告)号：CN116314251A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202210897073.X
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种可提高生产率的晶片、半导体装置及晶片的制造方法。根据实施方式，晶片包含具有第1面的硅基板和设在第1面上的氮化物半导体层。所述硅基板包含在晶片的X射线图像中能够相互区别的多个第1区域。所述多个第1区域远离所述硅基板的外缘区域。所述多个第1区域中的一个包含沿着第1线方向的多个第1线状体。所述多个第1区域中的另一个包含沿着第2线方向的多个第2线状体。所述第2线方向与所述第1线方向交叉。
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公开(公告)号：CN115706143A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210097012.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335 , C23C16/30
Abstract: 提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Alx1Ga1‑x1N的第1氮化物区域，其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194942B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010275579.4
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN104779329A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510019134.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L29/201 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02584 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/365 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/02
Abstract: 本发明描述了氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括功能层和堆叠体。所述堆叠体包括GaN中间层、低Al成分层、高Al成分层和第一含Si层。所述低Al成分层包括具有第一Al成分比的氮化物半导体。所述低Al成分层设置在所述GaN中间层与所述功能层之间。所述高Al成分层包括具有第二Al成分比的氮化物半导体。所述高Al成分层设置在所述GaN中间层与所述低Al成分层之间。所述第二Al成分比高于所述第一Al成分比。所述第一含Si层设置在所述GaN中间层与所述高Al成分层之间。
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公开(公告)号：CN102194986A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275105.X
申请日：2010-09-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
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公开(公告)号：CN119008665A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410200862.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本申请提供能够提高特性的晶片和半导体装置。根据实施方式，晶片包含硅基板、第1层和多个结构体。所述第1层包含铝和氮。所述多个结构体在从所述硅基板向所述第1层的第1方向上设置在所述硅基板的一部分与所述第1层的一部分之间。所述多个结构体包含：包含选自Ni、Cu、Cr、Mn、Fe和Co中的至少一个的第1元素、和硅。所述第1层的另一部分与所述硅基板的另一部分相接。
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公开(公告)号：CN117894828A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311006796.7
申请日：2023-08-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 提供能够提高特性的半导体构造体以及半导体装置。根据实施方式，半导体构造体包括：基板，包含硅晶体；第1层，包含AlN晶体；以及中间区域，设置于所述硅晶体与所述AlN晶体之间，包含Al以及氮。从所述硅晶体向所述AlN晶体的方向沿着第1方向。所述中间区域中的Al原子的晶格的所述第1方向上的第3晶面间距比所述硅晶体的所述第1方向上的第1晶面间距长、且比所述AlN晶体的所述第1方向上的第2晶面间距长。
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