公开(公告)号：CN101069816A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710088731.6

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松代武士 ,  出健志 ,  堤正彦 ,  新藤尊彦 ,  龟田常治 ,  久里裕二 ,  村山清一 ,  相马孝浩 ,  新山雅永 ,  平冈由纪夫

IPC: B01D63/08 ,  C02F1/44

Abstract: 本发明的目的在于实现膜组件的节省空间，同时减小原水的过滤阻力，从而使透过流束大于在通常水道用途中使用的精密滤膜或超滤膜的透过流束。本发明使用在容器(2)中装填使用了各向异性多孔质材料的膜(1)而成为一体的膜组件，装入原水进行过滤。

公开(公告)号：CN1962039A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610143936.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 龟田常治 ,  伊藤义康 ,  新藤尊彦 ,  久里裕二

IPC: B01D71/02 ,  C02F1/00

CPC classification number: B01D69/02 ,  B01D61/14 ,  B01D2325/021 ,  C02F1/44 ,  Y10T428/12153 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249976 ,  Y10T428/29

Abstract: 本发明提供一种用于流体过滤器的各向异性多孔材料，它可以高度精确地进行大量流体的分离过程、可以实现高流量、并且改善净化性能。各向异性多孔材料包括多个孔隙。每个孔隙具有各向异性形状，其中可以限定出主轴和次轴。孔隙的布置具有定向。

公开(公告)号：CN111684587A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088817.5

申请日：2018-08-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 伊东弘晃 ,  市仓优太 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  平塚大祐 ,  田代匠太 ,  水谷麻美 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆 ,  松村仁嗣

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。

公开(公告)号：CN104916557A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410287004.2

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  田多伸光 ,  关谷洋纪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/26 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/564 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33

Abstract: 实施方式提供一种具有使抗热疲劳性提高的接合部的高可靠的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备基座部、设置在所述基座部上的基板、以及设置在所述基板上的半导体元件。并且，还具备接合部，该接合部设置在所述基座部与所述基板之间、以及所述基板与所述半导体元件之间的至少某一方，包含锡、锑以及钴。

公开(公告)号：CN104458788A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410068978.1

申请日：2014-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  小谷和也 ,  佐佐木遥 ,  平塚大祐 ,  松村仁嗣 ,  北泽秀明 ,  安达健二

IPC: G01N25/00

CPC classification number: G01N25/72 ,  G01R31/311

Abstract: 一种半导体装置的检查方法，具备：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热、边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据，求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及对所述斜率与预先设定的基准的斜率进行比较来判定所述半导体装置的好坏的工序。

公开(公告)号：CN104064476A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310308392.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久里裕二 ,  关谷洋纪 ,  佐佐木遥 ,  小谷和也 ,  田多伸光 ,  松村仁嗣 ,  井口知洋

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49866 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够通过抑制冷热循环引起的热膨胀以及热收缩来提高产品的可靠性的功率半导体装置的制造方法以及通过该制造方法制造的功率半导体装置。本实施方式涉及的功率半导体装置的制造方法，是包括表面具有导体层的基底基板以及安装于上述基底基板的半导体元件的功率半导体装置的制造方法，具有在上述导体层的表面形成硬化层的工序。

公开(公告)号：CN101209516B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610130968.1

申请日：2006-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 龙坦桐 ,  久里裕二

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  B23K101/00 ,  B23K101/36

CPC classification number: C22C13/00 ,  B23K35/262

Abstract: 本发明提供一种无铅焊料，其具有良好的抗氧化性能，并能容易并良好地进行塑性加工。该无铅焊料及无铅焊料成形制品可提供焊接接合制品，特别是电子部件，其有很高的可靠性，例如，机械强度和连接强度。本发明还提供用该无铅焊料连接而成的焊接接合产品及电子部件。

公开(公告)号：CN100531870C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710088731.6

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松代武士 ,  出健志 ,  堤正彦 ,  新藤尊彦 ,  龟田常治 ,  久里裕二 ,  村山清一 ,  相马孝浩 ,  新山雅永 ,  平冈由纪夫

IPC: B01D63/08 ,  C02F1/44

Abstract: 本发明的目的在于实现膜组件的节省空间，同时减小原水的过滤阻力，从而使透过流束大于在通常水道用途中使用的精密滤膜或超滤膜的透过流束。本发明使用在容器(2)中装填使用了各向异性多孔质材料的膜(1)而成为一体的膜组件，装入原水进行过滤。

公开(公告)号：CN112655285B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201880097289.X

申请日：2018-10-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 伊东弘晃 ,  市仓优太 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  田代匠太 ,  水谷麻美 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆

IPC: H05K5/06 ,  H01L25/07 ,  H01L25/10 ,  H01L25/18

Abstract: 提供一种即使在内部的半导体芯片的一部分产生了短路故障的情况下也抑制外封装破裂的隐患的半导体封装。半导体封装具备：固定子模块(1)的金属制的冷却器(3)、固定于冷却器(3)的树脂制的外周侧壁(4)以及固定于外周侧壁(4)的金属制的上板(5)。冷却器(3与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固，上板(5)与外周侧壁(4)利用紧固部件(5a)紧固。在子模块内的压力急剧上升了的情况下，上板(5)整体一边大幅弯曲一边变形，防止内压上升所引起的半导体封装的破坏。

公开(公告)号：CN110050341A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075662.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 泷本和靖 ,  市仓优太 ,  大部利春 ,  伊东弘晃 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  山成真辉 ,  平塚大祐 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆 ,  松村仁嗣

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/29 ,  H01L25/18

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。