公开(公告)号：CN101409326B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810169881.4

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山昌彦 ,  药师寺启 ,  池川纯夫 ,  汤浅新治 ,  甲斐正 ,  永瀬俊彦 ,  天野实 ,  相川尚德 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件以及磁随机存取存储器。磁阻效应元件具备基准层、记录层、以及非磁性层。基准层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第1磁化，且磁化的方向不变。记录层由磁性材料构成，具有朝向相对膜面垂直方向的第2磁化，且磁化的方向可变。上述非磁性层被设置在基准层与记录层之间。由记录层的磁各向异性、饱和磁化以及交换结合决定的、单磁区状态成为唯一的稳定状态的临界直径(单轴临界直径Ds＊)、或者单磁区状态为唯一的稳定状态、且即使在反转过程中也一边保持单磁区状态一边反转的临界直径(单轴反转临界直径Ds)大于磁阻效应元件的元件直径。

公开(公告)号：CN101546807A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127673.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  吉川将寿 ,  永瀬俊彦 ,  大坊忠臣 ,  长岭真 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|×a1/2－a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。

公开(公告)号：CN101308901A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810109276.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉川将寿 ,  北川英二 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C7/22

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器。磁致电阻效应元件包括：第一磁性层(3)，第二磁性层(2)和第一隔离层(4)。第一磁性层(3)具有不变的磁化方向。第二磁性层(2)具有可变的磁化方向，并且包含从Fe、Co和Ni中选择的至少一种元素，从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt和Au中选择的至少一种元素和从V、Cr和Mn中选择的至少一种元素。隔离层(4)在第一磁性层(3)和第二磁性层(2)之间形成，并且由非磁性材料构成。流经第一磁性层(3)、隔离层(4)和第二磁性层(2)的双向电流使得第二磁性层(2)的磁化方向可变。

公开(公告)号：CN1433021A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03102768.7

申请日：2003-01-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斉藤好昭 ,  西山勝哉 ,  高桥茂树 ,  天野実 ,  上田知正 ,  与田博明 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久 ,  岸逹也

IPC: G11C11/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。

公开(公告)号：CN1308313A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN00135320.9

申请日：2000-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  馆山公一 ,  大日向祐介

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3106 ,  G11B2005/0029 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49815

Abstract: 本发明的目的是通过以微小量正确且再现性良好地控制主磁极、辅助磁极、线圈、回程偏转线圈距媒体对向面的凹槽量,提供一种使产生的磁场稳定而且倍增的磁头以及其制造方法和磁记录装置。在与媒体对向面平行设置的薄膜上,使薄膜状磁单元叠层,构成磁头。在薄膜上设置开口,主磁极的一部分具有在该开口延出的尖端部。这样,可以高精度地控制薄膜状磁单元距媒体对向面的凹槽量,同时,主磁极尖端部的突出量也可由薄膜的膜厚极微小且精密地控制。其结果将使在主磁极尖端部的记录磁场强度增大到最终值,从而提供一种可在高密度对应的高保持力的媒体上进行记录的磁头。

公开(公告)号：CN107689239B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201710158433.3

申请日：2017-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  下村尚治 ,  鸿井克彦 ,  上口裕三 ,  白鸟聪志 ,  池上一隆 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。

公开(公告)号：CN106875969B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201610811820.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 与田博明 ,  下村尚治 ,  大泽裕一 ,  大坊忠臣 ,  井口智明 ,  白鸟聪志 ,  山百合 ,  上口裕三

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及磁存储器，具备：导电层，具有第1端子及第2端子；多个磁阻元件，相互间隔地配置于所述第1端子与所述第2端子之间的所述导电层，各磁阻元件具有参照层、配置于所述参照层与所述导电层之间的存储层以及配置于所述存储层与所述参照层之间的非磁性层；以及电路，对所述多个磁阻元件的所述参照层施加第1电位，并且使第1写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过，对所述多个磁阻元件中的应该写入数据的磁阻元件的所述参照层施加第2电位并且使与所述第1写入电流反向的第2写入电流在所述第1端子与第2端子之间流过。

公开(公告)号：CN107689239A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710158433.3

申请日：2017-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  下村尚治 ,  鸿井克彦 ,  上口裕三 ,  白鸟聪志 ,  池上一隆 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673

Abstract: 实施方式涉及一种非易失性存储器。降低磁存储器的写入错误率。实施方式的非易失性存储器具备：导线(11)，具有第1部分(E1)、第2部分(E2)、以及它们之间的第3部分(E3)；存储元件(MTJ)，具备第1磁性层(FL)、第2磁性层(RL)、以及它们之间的非磁性层(TN)，第1磁性层(FL)连接于第3部分(E3)；以及电路，使写入电流流经所述第1部分和第2部分(E1、E2)之间，对第2磁性层(RL)施加第1电位，在使第2磁性层(RL)从第1电位改变为第2电位之后，切断流过第1部分和第2部分(E1、E2)之间的写入电流。

公开(公告)号：CN103069564B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180039960.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山昌彦 ,  与田博明 ,  岸达也 ,  小濑木淳一 ,  甲斐正 ,  相川尚德 ,  池川纯夫

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本实施方式的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。

公开(公告)号：CN102194848B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201010294132.1

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口智明 ,  丸龟孝生 ,  石川瑞惠 ,  杉山英行 ,  相川尚德 ,  中山昌彦 ,  岸达也 ,  与田博明 ,  斋藤好昭

IPC: H01L27/22 ,  H01L29/66 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L29/66984 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C11/1697 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。