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公开(公告)号：CN101971368A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108694.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/316
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。
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公开(公告)号：CN100568562C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680032456.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。
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公开(公告)号：CN101558502A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780045961.2
申请日：2007-12-19
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的目的是提供一种可获得能够很好地用于内部量子效率和光取出效率优异的发光元件的形成的结晶性优异的III族氮化物半导体层的制造方法。根据本发明，可提供一种III族氮化物半导体层(103)的制造方法，该制造方法在基板(101)上形成单晶的III族氮化物半导体层(103)，其中，该制造方法具有：通过在基板(101)的(0001)C面上形成由与所述C面不平行的表面(12c)构成的多个凸部(12)，从而在所述基板(101)形成由平面(11)和所述凸部(12)构成的上面(10)的基板加工工序，所述平面由所述C面构成；和在所述上面(10)上外延生长所述III族氮化物半导体层(103)，由所述III族氮化物半导体层(103)掩埋所述凸部(12)的外延工序。
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公开(公告)号：CN101331616A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046768.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供得到高的出光效率，并降低了驱动电压(Vf)的氮化镓类化合物半导体发光元件。这种氮化镓类化合物半导体发光元件，在该氮化镓类化合物半导体元件的p型半导体层上层叠包含掺杂剂的透光性导电氧化膜而成的氮化镓类化合物半导体发光元件中，构成为，前述p型半导体层与前述透光性导电氧化膜的界面的掺杂剂浓度，与前述透光性导电氧化膜的体块的掺杂剂浓度相比为高浓度，减小前述p型半导体层与透光性导电氧化膜的接触电阻。
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公开(公告)号：CN101258614A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032214.0
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101523626B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200780038051.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。
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公开(公告)号：CN102037576A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118007.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体发光元件(1)，是具备基板(101)、在基板101上依次形成n型半导体层(104)、发光层(105)和p型半导体层(106)而构成的叠层半导体层(20)和在p型半导体层(106)的上面(106a)形成的透光性电极层(109)的半导体发光元件(1)，透光性电极层(109)含有掺杂元素，透光性电极层(109)中的掺杂元素的含有量，随着接近p型半导体层(106)与透光性电极层(109)的界面(109a)而逐渐减少。在透光性电极层(109)中形成有构成p型半导体层(106)的元素从界面(109a)向透光性电极层(109)内扩散而成的扩散区域。
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公开(公告)号：CN100568561C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680024176.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。
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公开(公告)号：CN101405879A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010333.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。
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公开(公告)号：CN101326649A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046658.X
申请日：2006-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。
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