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公开(公告)号：CN102414847A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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公开(公告)号：CN101897045B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880120485.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 竹内良一
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种流到发光层的电流均匀、来自发光层的光的取出效率高且高辉度的发光二极管(1)，其具有：包含发光层(2)的发光部(3)、隔着半导体层(4)与发光部(3)接合的基板(5)、位于发光部(3)的上面的第1电极(6)、位于基板(5)的底面的第2电极(7)和在半导体层(4)上且位于发光部(3)的外周的欧姆电极(8)，在半导体层(4)中具有位于发光部(3)的外周的使欧姆电极(8)与基板(5)导通、并且沿半导体层(4)的厚度方向贯通的贯通电极(9)。
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公开(公告)号：CN101218686B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680024549.8
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L33/387 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括：发光层133，由磷化铝镓铟形成；发光部分13，具有各自由III-V族化合物半导体形成的组成层；透明支撑层14，接合到所述发光部分13的最外表面层的一者135且对于从所述发光层133发射的光透明；以及接合层141，形成在所述支撑层14与所述发光部分13的所述最外表面层的一者135之间，包含浓度小于等于1×1020cm-3的氧原子。该化合物半导体发光二极管可以避免对发光部分施加应力，抑制晶体缺陷的产生，提高发光部分与支撑层之间的接合强度，还降低接合界面中的电阻并从而提高正向电压(Vf)，并且提高反向电压并实现高亮度的产生。
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公开(公告)号：CN102326268A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008276.4
申请日：2010-01-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2924/00
Abstract: 采用一种发光二极管(1)，是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失，并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管，其特征在于，具备：包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3)，在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。
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公开(公告)号：CN101897045A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120485.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 竹内良一
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种流到发光层的电流均匀、来自发光层的光的取出效率高且高辉度的发光二极管(1)，其具有：包含发光层(2)的发光部(3)、隔着半导体层(4)与发光部(3)接合的基板(5)、位于发光部(3)的上面的第1电极(6)、位于基板(5)的底面的第2电极(7)和在半导体层(4)上且位于发光部(3)的外周的欧姆电极(8)，在半导体层(4)中具有位于发光部(3)的外周的使欧姆电极(8)与基板(5)导通、并且沿半导体层(4)的厚度方向贯通的贯通电极(9)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100527452C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200480006244.5
申请日：2004-02-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种双异质结构发光二极管器件，包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7)，和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙值和窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)。中间层上的窗口层是在730℃或更高温度下并以7.8μm/小时或更快的生长速率在存在作为掺杂剂的Zn时生长的GaP层。负电极侧覆层具有0.1μm或更大厚度的未掺杂AlInP层(5)。利用这种结构，提供了一种发光二极管器件，能够提高窗口层的结晶度，防止由高温处理引起的缺陷的产生，并在落入黄绿带的波长下获得高亮度。
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公开(公告)号：CN1947265A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III－V族化合物半导体构成。
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公开(公告)号：CN1759490A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006244.5
申请日：2004-02-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种双异质结构发光二极管器件，包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7)，和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙值和窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)。中间层上的窗口层是在730℃或更高温度下并以7.8μm/小时或更快的生长速率在存在作为掺杂剂的Zn时生长的GaP层。负电极侧覆层具有0.1μm或更大厚度的未掺杂AlInP层(5)。利用这种结构，提供了一种发光二极管器件，能够提高窗口层的结晶度，防止由高温处理引起的缺陷的产生，并在落入黄绿带的波长下获得高亮度。
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公开(公告)号：CN102598318B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
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公开(公告)号：CN102822999B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201180017382.3
申请日：2011-02-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其在光取出面上具有两个电极，光取出效率高，为高辉度。本发明涉及的发光二极管（1），是具有含有发光层（10）的发光部（7）的化合物半导体层（2）和透明基板（3）相接合了的发光二极管，其特征在于，在化合物半导体层（2）的主要的光取出面（2a）侧设置有第1电极（4）和第2电极（5），透明基板（3）具有：与化合物半导体层（2）接合的上表面（3A）；面积比上表面（3A）的面积小的底面（3B）；和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面（3b）的侧面，第1和第2电极（4）、（5）在俯视该发光二极管时配置在将底面（3B）投影了的区域内。
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