公开(公告)号：CN100527452C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200480006244.5

申请日：2004-02-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 竹内良一 ,  松泽圭一 ,  山崎润一

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种双异质结构发光二极管器件，包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7)，和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙值和窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)。中间层上的窗口层是在730℃或更高温度下并以7.8μm/小时或更快的生长速率在存在作为掺杂剂的Zn时生长的GaP层。负电极侧覆层具有0.1μm或更大厚度的未掺杂AlInP层(5)。利用这种结构，提供了一种发光二极管器件，能够提高窗口层的结晶度，防止由高温处理引起的缺陷的产生，并在落入黄绿带的波长下获得高亮度。

公开(公告)号：CN1759490A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200480006244.5

申请日：2004-02-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 竹内良一 ,  松泽圭一 ,  山崎润一

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种双异质结构发光二极管器件，包括有源层(6)、正电极侧覆层、负电极侧覆层(4)、窗口层(9)和未掺杂AlInP层。正电极侧覆层包括生长到0.5μm厚度的未掺杂AlInP层(7)，和掺杂呈现p型导电性并具有落入未掺杂AlInP层的能带隙值和窗口层的能带隙值之间的中间能带隙值的中间层(8)。中间层上的窗口层是在730℃或更高温度下并以7.8μm/小时或更快的生长速率在存在作为掺杂剂的Zn时生长的GaP层。负电极侧覆层具有0.1μm或更大厚度的未掺杂AlInP层(5)。利用这种结构，提供了一种发光二极管器件，能够提高窗口层的结晶度，防止由高温处理引起的缺陷的产生，并在落入黄绿带的波长下获得高亮度。