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公开(公告)号：CN110422820A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910081902.5
申请日：2019-01-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造半导体裸片的方法、半导体裸片、封装件以及电子系统。该方法，包括以下步骤：提供MEMS设备，其具有设置有腔体的结构本体和悬挂在腔体之上的膜结构；经由直接接合或熔合接合将结构本体耦合至过滤模块，使过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸作为结构本体的延长；以及在对应于第一部分的区域中蚀刻过滤模块的选择部分，以形成流体耦合至腔体的过滤开口。例如，半导体芯片是麦克风。
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公开(公告)号：CN109511066A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
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公开(公告)号：CN117594374A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002468.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
Abstract: 一种微机电按钮器件设置有检测结构，检测结构具有：具有前表面和后表面的半导体材料的衬底；被布置在衬底上的掩埋电极；被布置在结构层中的移动电极，移动电极覆盖在衬底上并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，帽耦合在结构层之上并且具有面对结构层的第一主表面和第二主表面，帽被设计为机械耦合到便携式或可佩戴型电子装置的外壳的可变形部分。帽在其第一主表面上具有致动部分，致动部分被布置在移动电极上并且被配置为在施加在第二主表面上的压力存在的情况下引起移动电极向掩埋电极的偏转和接近，从而引起检测电容器的电容变化，电容变化指示微机电按钮器件的致动。
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公开(公告)号：CN111212370B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
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公开(公告)号：CN111212370A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107539941B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN215902133U
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202120480887.4
申请日：2021-03-05
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器PMUT器件以及电子系统。一种压电式微机械超声换能器PMUT器件，其特征在于，包括：硅基底；膜元件，被配置为通过以共振频率关于平衡位置振荡来生成超声波和接收超声波；锚定部分，将膜元件固定到硅基底，以及压电元件，在膜元件上，压电元件被配置为：当电信号被施加至压电元件时，引起膜元件振荡，以及响应于膜元件的振荡生成电信号，其中，膜元件和锚定部分由单晶硅制成。利用本公开的实施例，在完成的PMUT器件中得到的膜元件的厚度非常精确，并且较少受到工艺失配的影响。
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公开(公告)号：CN205873893U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620241631.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B7/0048 , B81C1/00325 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
Abstract: 本申请涉及半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件，其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52)，柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性，例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中，四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构，这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。从而提供对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。
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公开(公告)号：CN221275213U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322062933.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的一个或多个实施例涉及电子器件，包括：MEMS传感器器件，包括转换结构，转换结构被配置为在操作中将化学量或物理量转换为对应电学量；帽，包括：半导电衬底；以及导电区域，在半导电衬底与MEMS传感器器件之间延伸，导电区域包括：第一部分，相对于半导电衬底横向布置并且被暴露；以及第二部分，与半导电衬底接触；键合介电区域，将帽机械耦合到MEMS传感器器件。
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公开(公告)号：CN215756431U
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202121072705.6
申请日：2021-05-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS设备。该设备包括：衬底；第一结构层，具有第一厚度并且在衬底上延伸；第二结构层，具有第二厚度并且在第一结构层上延伸；多个第一沟槽，延伸通过第一结构层并且限定第一功能元件；多个第二沟槽，延伸通过第二结构层并且限定覆盖第一功能元件的第二功能元件；多个第三沟槽，延伸通过第一结构层和第二结构层，其中第一结构层和第二结构层形成支撑结构，具有第三厚度，支撑结构被锚定到衬底并且支撑第一功能元件和第二功能元件，第一间隙区在第一功能元件与第二功能元件之间延伸并且围绕支撑结构。利用本公开的实施例可以有利地允许多个微机械结构被布置在单个管芯中，允许整体大小被减小，降低制造成本，改善设备集成。
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