公开(公告)号：CN108463870A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201780006715.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0337

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN119384712A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202380046234.7

申请日：2023-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·高希 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可沿基板界定一个或多个特征。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。方法可包括提供含氧前驱物。方法可包括用含氧前驱物对含硅材料进行退火。退火可导致含硅材料在一个或多个特征内膨胀。方法可包括重复一个或多个操作以迭代地填充基板上的一个或多个特征。

公开(公告)号：CN118103959A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068200.3

申请日：2022-08-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·J·布扬 ,  沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露来自在基板上形成的一个或多个层对的材料。方法可包括在完全穿透介电材料之前以及从在所述基板上形成的所有层对暴露材料之前中止蚀刻。方法可包括在来自具有暴露材料的一个或多个层对中的每一者的暴露材料上形成含碳材料层。方法可包括完全穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露在基板上形成的每个剩余层对的材料。

公开(公告)号：CN111066140B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880058616.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克 ,  A·B·穆里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。

公开(公告)号：CN116568859A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180082876.3

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/40

Abstract: 公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN116313773A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310272601.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/308 ,  C23C16/50 ,  C23C16/06 ,  C23C16/28 ,  C23C16/32

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN112640086A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057396.4

申请日：2019-10-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及沉积薄膜的方法，并且更具体地，涉及沉积金属薄膜。本文的方法提供了无成核转化(nucleation free conversion；NFC)方法，此方法涉及在介电层之上形成非晶硅层，并执行NFC工艺，所述NFC工艺用于将非晶硅层转化成金属薄膜。在一些实施例中，多次执行NFC工艺，直到所得的薄金属膜是连续的。在薄金属膜之上形成块状金属。

公开(公告)号：CN109690736A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780056070.0

申请日：2017-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王家锐 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  S·S·罗伊 ,  K·D·李

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的实施方案总体上是关于集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施方案提供用于在基板上沉积厚硬掩模膜的技术。在一个实施方案中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。该方法包含以下步骤：将卡紧电压施加到位于处理腔室中的静电卡盘上的基板，通过在处理腔室中供应种晶层气体混合物并同时维持卡紧电压而在设置于基板上的膜堆层上形成包含硼的种晶层，通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物而在种晶层上形成包含硼与钨的过渡层，以及通过在处理腔室中供应主沉积气体混合物而在过渡层上形成块状硬掩模层。

公开(公告)号：CN112640086B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201980057396.4

申请日：2019-10-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及沉积薄膜的方法，并且更具体地，涉及沉积金属薄膜。本文的方法提供了无成核转化(nucleation free conversion；NFC)方法，此方法涉及在介电层之上形成非晶硅层，并执行NFC工艺，所述NFC工艺用于将非晶硅层转化成金属薄膜。在一些实施例中，多次执行NFC工艺，直到所得的薄金属膜是连续的。在薄金属膜之上形成块状金属。

公开(公告)号：CN119487612A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380047491.2

申请日：2023-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H10D64/27

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含碳前驱物。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氧前驱物。所述方法可包括在小于或约700℃的温度下使含硅前驱物、含碳前驱物和含氧前驱物进行热反应。所述方法可包括在基板上形成含硅与碳的层。