公开(公告)号：CN107210250B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201680008411.2

申请日：2016-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·Q·特兰 ,  S·马立克 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·N·罗伊 ,  S·小林 ,  T·S·周 ,  S·朴 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。

公开(公告)号：CN110828346A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911127078.9

申请日：2015-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·可罕 ,  S·文卡特拉曼 ,  J·D·平森三世 ,  J-G·杨 ,  N·K·英格尔 ,  梁奇伟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/56

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。

公开(公告)号：CN105580118B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN107210250A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008411.2

申请日：2016-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·Q·特兰 ,  S·马立克 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·N·罗伊 ,  S·小林 ,  T·S·周 ,  S·朴 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67103

Abstract: 一种晶片夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器元件嵌入在绝缘材料内；并且导电板位于绝缘材料下方。轴包括：与板耦接的外壳；以及用于加热器元件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；并且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：将工件装载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨顶表面内的两个电极的DC电压差分；通过使电流通过加热器元件来加热夹盘；在环绕夹盘的腔室中提供工艺流体；以及在夹盘下方的导电板与腔室的一个或多个壁之间提供RF电压。